[發明專利]用于提升靜電放電保護能力的版圖結構有效
| 申請號： | 201610749272.0 | 申請日： | 2016-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN107785362B | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 汪廣羊 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;汪洋 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 提升 靜電 放電 保護 能力 版圖 結構 | ||
1.一種用于提升靜電放電保護能力的版圖結構，其特征在于，靜電放電保護器件與特征線寬小的器件位于同一阱區之上，所述特征線寬小的器件位于中間部分，所述特征線寬小的器件的兩側布置所述靜電放電保護器件，所述特征線寬小的器件為被保護的器件；其中，在靜電保護過程中，所述特征線寬小的器件的柵極處于關斷狀態。
2.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述特征線寬小的器件為冗余MOS，所述靜電放電保護器件為GGNMOS。
3.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，通過修改光刻掩膜板的圖案尺寸來調節所述特征線寬小的器件和所述靜電放電保護器件的尺寸比例。
4.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述特征線寬小的器件的溝道長度大于所述靜電放電保護器件的溝道長度。
5.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述特征線寬小的器件和所述靜電放電保護器件為雙柵結構，相鄰的所述特征線寬小的器件與所述靜電放電保護器件的相鄰的柵極之間共用一個源極。
6.根據權利要求5所述的版圖結構，其特征在于，所述源極摻雜有N+型雜質，所述N+型雜質包括磷、氮、砷、銻或鉍。
7.根據權利要求1-6之一的所述的版圖結構，其特征在于，所述靜電放電保護器件的柵極和源極接在一起連接接地端。
8.根據權利要求1-6之一的所述的版圖結構，其特征在于，所述特征線寬小的器件的源極連接接地端。
9.根據權利要求1-6之一的所述的版圖結構，其特征在于，所述特征線寬小的器件的漏極和所述靜電放電保護器件的漏極均連接I/O端口。
10.根據權利要求1-6之一的所述的版圖結構，其特征在于，所述特征線寬小的器件的線寬小于100微米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤上華科技有限公司，未經無錫華潤上華科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610749272.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種自適應、自調節式熱泵熱風爐系統
- 下一篇：一種帶凹槽的電容器外殼
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
