[發明專利]用于氮化物生長的具有雙緩沖層的外延片的制備方法在審
| 申請號： | 201610747324.0 | 申請日： | 2016-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN106206892A | 公開（公告）日： | 2016-12-07 |
| 發明（設計）人： | 王明洋;戴俊;李志聰;閆其昂;孫一軍;王國宏 | 申請（專利權）人： | 揚州中科半導體照明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/00;H01L21/203;H01L21/205;C23C16/44;C23C14/22 |
| 代理公司： | 揚州市錦江專利事務所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 氮化物 生長 具有 緩沖 外延 制備 方法 | ||
【說明書】：
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