[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610744164.4
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN107785266B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張海洋;唐龍娟
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括襯底以及位于襯底上分立的鰭部；

形成橫跨所述鰭部且覆蓋部分鰭部頂部表面和側(cè)壁表面的柵極結(jié)構(gòu)；

去除所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)部分厚度的鰭部；

對所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的剩余鰭部進(jìn)行定向氧化工藝，氧化部分厚度的所述剩余鰭部，形成氧化層；

完成所述定向氧化工藝后，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的氧化層上形成應(yīng)力層；

在所述應(yīng)力層內(nèi)形成源漏摻雜區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，提供所述基底后，形成所述柵極結(jié)構(gòu)之前，所述制造方法還包括：在所述鰭部之間的襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部低于所述鰭部頂部；

形成所述柵極結(jié)構(gòu)的步驟中，所述柵極結(jié)構(gòu)還覆蓋部分所述隔離結(jié)構(gòu)頂部。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，去除所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)部分厚度的鰭部的步驟包括：去除所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)凸出于所述隔離結(jié)構(gòu)的鰭部、以及位于所述隔離結(jié)構(gòu)之間的部分厚度的鰭部，使所述剩余鰭部的頂部低于所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部，且在所述隔離結(jié)構(gòu)之間形成凹槽；

對所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的剩余鰭部進(jìn)行定向氧化工藝的步驟中，氧化所述凹槽底部的部分厚度的剩余鰭部，形成氧化層。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述凹槽的深度為10埃至100埃。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，去除所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)部分厚度的鰭部的工藝為等離子體干法刻蝕工藝。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述等離子體干法刻蝕工藝的參數(shù)包括：刻蝕氣體為CF₄、HBr、O₂和Cl₂中的一種或多種氣體，CF₄的氣體流量為10sccm至200sccm，HBr的氣體流量為100sccm至500sccm，O₂的氣體流量為0sccm至50sccm，Cl₂的氣體流量為10sccm至100sccm，源功率為100W至1000W，偏置電壓為100V至500V，壓強(qiáng)為2mTorr至50mTorr，刻蝕時間為10s至10分鐘。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述鰭部的材料為硅，所述氧化層的材料為氧化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為50埃至100埃。

9.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述定向氧化工藝為含氧氛圍下的定向帶狀等離子體灰化工藝。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，去除所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)部分厚度的鰭部后，使被所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的鰭部具有暴露在外的側(cè)壁表面，所述側(cè)壁表面為鰭部側(cè)壁；

所述定向帶狀等離子體灰化工藝對所述凹槽底部的鰭部的氧化速率大于對所述鰭部側(cè)壁的氧化速率。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述定向帶狀等離子體灰化工藝的步驟包括：向刻蝕腔中通入氧化氣體；

提供脈沖直流偏壓，將所述氧化氣體轉(zhuǎn)化為電感耦合等離子體；

采用所述電感耦合等離子體，對所述凹槽底部的鰭部進(jìn)行轟擊以氧化所述鰭部。