[發明專利]一種基于解析法制備定原子比的摻雜Ge2Sb2Te5相變薄膜的方法有效
| 申請號： | 201610742155.1 | 申請日： | 2016-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN106191773B | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發明（設計）人： | 楊繼峰;劉富榮;朱贊 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 張慧 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 摻雜原子 制備 濺射功率 摻雜 相變薄膜 共濺射 厚度比 原子比 沉積 解析 預處理 摻雜元素 沉積薄膜 鍍膜工藝 高效制備 濺射鍍膜 目標薄膜 實驗周期 靶材 襯底 微調 測試 檢測 探索 | ||
【說明書】：
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