[發(fā)明專(zhuān)利]FDSOI技術(shù)中使用可調(diào)式時(shí)序電路的方法、裝置及系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610740845.3 | 申請(qǐng)日： | 2016-08-26 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106486425A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-03-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A·米塔爾;M·拉希德 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 格羅方德半導(dǎo)體公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/8238 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/8238;H01L27/092;H03K19/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314 | 代理人： | 程偉,王錦陽(yáng) |
| 地址： | 英屬開(kāi)曼群*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | fdsoi 技術(shù) 使用 調(diào)式 時(shí)序電路 方法 裝置 系統(tǒng) | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
下載完整專(zhuān)利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于格羅方德半導(dǎo)體公司，未經(jīng)格羅方德半導(dǎo)體公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610740845.3/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種FDSOI器件SOI和bulk區(qū)域淺槽形貌優(yōu)化方法
- 降低切換式電容器電荷泵的切換接通狀態(tài)電阻的方法
- 一種FDSOI可控硅靜電保護(hù)器件
- 基于FDSOI gg-NMOS輔助觸發(fā)的ESD保護(hù)器件
- FDSOI標(biāo)準(zhǔn)單元的填充圖形的生成方法以及版圖布局方法
- 一種基于FDSOI器件背柵結(jié)構(gòu)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
- 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及裝置
- 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及裝置
- FDSOI的制造方法
- 一種FDSOI器件的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)
- 防止技術(shù)開(kāi)啟的鎖具新技術(shù)
- 技術(shù)評(píng)價(jià)裝置、技術(shù)評(píng)價(jià)程序、技術(shù)評(píng)價(jià)方法
- 防止技術(shù)開(kāi)啟的鎖具新技術(shù)
- 視聽(tīng)模擬技術(shù)(VAS技術(shù))
- 用于技術(shù)縮放的MRAM集成技術(shù)
- 用于監(jiān)測(cè)技術(shù)設(shè)備的方法和用戶接口、以及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 用于監(jiān)測(cè)技術(shù)設(shè)備的技術(shù)
- 技術(shù)偵查方法及技術(shù)偵查系統(tǒng)
- 使用投影技術(shù)增強(qiáng)睡眠技術(shù)
- 基于技術(shù)庫(kù)的技術(shù)推薦方法
