[發明專利]一種埃洛石納米管表面原位生長二氧化硅制備雜化填料的方法

有效

• 申請號: 201610740697.5
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN106279772B
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 賈志欣;胡德超;鐘邦超;林靜;羅遠芳;賈德民
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: C08K9/12
• 分類號: C08K9/12;C08K9/00;C08K7/26;C08K3/36;C08L67/06
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.一種埃洛石納米管表面原位生長二氧化硅制備雜化填料的方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步：先將埃洛石納米管分散到溶劑中，再加入氨水和催化劑，超聲分散后，添加硅源單體，在30-80℃條件下攪拌反應1-10小時；

第二步：將第一步所得產物離心過濾，洗滌，除去上層清液，烘干，得到雜化填料；

所述催化劑為二月桂酸二丁基錫、二月桂酸二正辛基錫和四丁基溴化銨中的一種以上；

所述的硅源單體占埃洛石納米管的50wt%-75 wt%。

2.根據權利要求1所述的一種埃洛石納米管表面原位生長二氧化硅制備雜化填料的方法，其特征在于，所述的溶劑為水、乙醇、甲苯、丙酮、石油醚、乙酸乙酯、二甲苯和環戊烷中的一種或兩種的混合溶劑。

3.根據權利要求1所述的一種埃洛石納米管表面原位生長二氧化硅制備雜化填料的方法，其特征在于，所述的硅源單體為正硅酸甲酯、正硅酸乙酯和硅酸鈉中的一種。

4.根據權利要求1所述的一種埃洛石納米管表面原位生長二氧化硅制備雜化填料的方法，其特征在于，所述的埃洛石納米管分散到溶劑中的固含量為3%-10%。

5.根據權利要求1所述的一種埃洛石納米管表面原位生長二氧化硅制備雜化填料的方法，其特征在于，所述的氨水的加入量占溶劑體積的5%-15%。

6.根據權利要求1所述的一種埃洛石納米管表面原位生長二氧化硅制備雜化填料的方法，其特征在于，所述的催化劑的加入量為0.1-1.5ml。

7.根據權利要求1所述的一種埃洛石納米管表面原位生長二氧化硅制備雜化填料的方法，其特征在于，所述洗滌的次數為3-8次。

8.根據權利要求1所述的一種埃洛石納米管表面原位生長二氧化硅制備雜化填料的方法，其特征在于，所述烘干的條件為在50-100℃的真空烘箱內烘8-24h。