[發(fā)明專利]具有密封環(huán)的半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610738929.3
• 申請(qǐng)日: 2016-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN106601697A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊志偉;曾仲銓;劉家瑋;褚立新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/367;H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一襯底；

至少一個(gè)介電層，存在于所述第一襯底上；

至少一個(gè)第一密封環(huán)，存在于所述介電層中；

第二襯底，位于所述介電層上；以及

至少一個(gè)第一熱導(dǎo)體，存在于所述第二襯底中并且熱連接至所述第一密封環(huán)，其中，所述第一熱導(dǎo)體從所述第二襯底的表面暴露。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

至少一個(gè)圖像傳感器，存在于所述第二襯底中并且被所述第一密封環(huán)環(huán)繞。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一熱導(dǎo)體由銅、鋁或它們的組合制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

至少一個(gè)半導(dǎo)體組件，存在于所述第二襯底中；

內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，存在于所述介電層中并且電連接至所述半導(dǎo)體組件；以及

導(dǎo)電焊盤，存在于所述第二襯底中并且電連接至所述內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電焊盤與所述第一密封環(huán)空間地分隔。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電焊盤和所述第一熱導(dǎo)體由相同的材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

鈍化層，存在于所述第二襯底的所述表面上，并且所述第一熱導(dǎo)體進(jìn)一步從所述鈍化層暴露。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

至少一個(gè)第二密封環(huán)，存在于所述介電層中，其中，所述第一密封環(huán)被所述第二密封環(huán)環(huán)繞。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

載體襯底；

器件襯底，所述器件襯底中具有至少一個(gè)穿孔；

圖像傳感器，位于所述器件襯底中；

至少一個(gè)介電層，存在于所述載體襯底和所述器件襯底之間；

至少一個(gè)密封環(huán)，存在于所述介電層中并且環(huán)繞所述圖像傳感器；以及

至少一個(gè)熱導(dǎo)體，存在于所述穿孔中并且與所述密封環(huán)熱接觸。

10.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

將第一晶圓接合至第二晶圓上，其中，所述第一晶圓具有第一襯底以及所述第二晶圓具有第二襯底，以及至少一個(gè)密封環(huán)存在于所述第一襯底和所述第二襯底之間；

至少在所述第一襯底中形成至少一個(gè)穿孔；以及

穿過所述穿孔形成熱連接至所述密封環(huán)的至少一個(gè)熱導(dǎo)體。