[發(fā)明專利]一種氣體傳感器加熱盤及加工方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610738908.1
• 申請(qǐng)日: 2016-08-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107782767B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒波;郭梅寒;程程
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深迪半導(dǎo)體（紹興）有限公司
• 主分類號(hào): G01N27/00
• 分類號(hào): G01N27/00
• 代理公司: 上海劍秋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31382
• 代理人: 楊飛

1.一種氣體傳感器加熱盤的加工方法，其特征在于，包括：

在硅晶圓(1)上設(shè)置絕緣層(2)；

在所述絕緣層(2)上設(shè)置加熱電極(31)；在所述絕緣層(2)上設(shè)置檢測(cè)電極(4)，所述檢測(cè)電極(4)與所述加熱電極(31)相互獨(dú)立；

所述絕緣層(2)上設(shè)置加熱電極(31)包括：

所述絕緣層(2)上淀積或?yàn)R射整塊完整的加熱電極材料層(3)，并將所述加熱電極材料層(3)圖形化分隔出加熱種子層與緩沖層(32)，所述加熱種子層與所述緩沖層(32)相互獨(dú)立不連接；所述加熱種子層直接作為所述加熱電極(31)或者在所述加熱種子層上淀積或?yàn)R射所述加熱電極(31)；

所述絕緣層(2)上設(shè)置檢測(cè)電極(4)包括：

所述緩沖層(32)分隔為相互獨(dú)立的兩部分，在所述緩沖層(32)的兩部分上分別獨(dú)立淀積或?yàn)R射所述檢測(cè)電極(4)；

所述硅晶圓(1)刻蝕出檢測(cè)腔(5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器加熱盤的加工方法，其特征在于，還包括：

在所述絕緣層(2)、所述加熱電極(31)和所述檢測(cè)電極(4)上整體涂覆或淀積氣敏層(6)。

3.一種氣體傳感器加熱盤，其特征在于，包括：

硅晶圓(1)，所述硅晶圓(1)上設(shè)置檢測(cè)腔(5)；

設(shè)置于所述硅晶圓(1)上的絕緣層(2)；

置于所述絕緣層(2)上的加熱電極(31)和檢測(cè)電極(4)，所述檢測(cè)電極(4)與所述加熱電極(31)相互獨(dú)立；

所述絕緣層(2)上的加熱電極材料層(3)分隔形成加熱種子層，所述加熱種子層直接作為所述加熱電極(31)或者在所述加熱種子層上設(shè)置所述加熱電極(31)；所述加熱電極材料層(3)的其他部分形成緩沖層(32)，所述緩沖層(32)包括相互獨(dú)立的兩部分，所述緩沖層(32)的兩部分獨(dú)立設(shè)置所述檢測(cè)電極(4)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體傳感器加熱盤，其特征在于，還包括整體覆蓋在所述絕緣層(2)、所述加熱電極(31)和所述檢測(cè)電極(4)上的氣敏層(6)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣體傳感器加熱盤，其特征在于，所述加熱電極(31)呈S形分布在所述絕緣層(2)上，所述加熱電極(31)的兩端相對(duì)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣體傳感器加熱盤，其特征在于，所述檢測(cè)電極(4)穿插布置于所述加熱電極(31)的兩側(cè)，所述加熱電極(31)將所述檢測(cè)電極(4)的兩部分分隔。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣體傳感器加熱盤，其特征在于，所述加熱電極(31)的材料為Ti、Pt或Au；所述檢測(cè)電極(4)的材料為Pt或Au，所述氣敏層(6)為SnO₂或WO₃。