[發明專利]堆疊式集成電路結構及形成方法在審
| 申請號： | 201610738898.1 | 申請日： | 2016-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN106653617A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 陳偉銘;胡憲斌;侯上勇;魏文信 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 堆疊 集成電路 結構 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：
在載體襯底上設置第一管芯和第二管芯；
將襯底接合至所述第一管芯和所述第二管芯，以面對面連接的方式將所述襯底與所述第一管芯和所述第二管芯連接；
沿著所述第一管芯、所述第二管芯和所述襯底的側壁形成模制材料；以及
在所述第一管芯上方形成第一通孔，使得所述第一通孔延伸穿過所述模制材料至所述第一管芯。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
