[發明專利]一種雙面鍍膜導電玻璃的抗干擾加工方法

有效

• 申請號: 201610735509.X
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN107777898B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 趙永剛;劉敬超;衛金照
• 申請（專利權）人: 河源力友通訊科技有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種雙面鍍膜導電玻璃的抗干擾加工方法，其特征在于，包括如下步驟：1）傳送載有玻璃基板的基片架到鍍膜機內；2）在玻璃基板的一表面沉積高折射氧化物層A；3）在高折射氧化物層A的表面沉積低折射氧化物層A；4）在玻璃基板的另一表面沉積高折射氧化物層B；5）在高折射氧化物層B的表面沉積低折射氧化物層B；6）在低折射氧化物層B的表面沉積導電氧化層B；7）在低折射氧化物層A的表面沉積導電氧化層A。本發明通過對加工工藝進行創新，其生產過程中能控制雙面的ITO阻值偏移程度，控制在所需的±5%以內，從而增加了阻值精度，有效提高了產品性能，提升了覆膜企業的技術水平和競爭優勢。

技術領域

本發明涉及導電玻璃技術領域，尤其是一種雙面鍍膜導電玻璃的抗干擾加工方法。

背景技術

隨著電子產品行業的快速增長，電容屏的使用更加廣泛。雙面鍍膜導電玻璃是電容屏中的主要部件，同時導電薄膜的性能又對雙面導電玻璃性能起著關鍵作用。因此，在生產過程中，對導電薄膜的均勻性、耐熱性、耐酸堿性、耐高溫性和耐高濕性進行嚴格控制是十分重要的。導電薄膜需進行圖形化制作，這一過程的難度在于蝕刻的準確性對于圖案本身以及電磁屏蔽、靜電保護等性能產生關聯。ITO導電薄膜屬于一種廣泛使用的導電薄膜，ITO導電薄膜的制備方法是通過電子束將三氧化二銦和二氧化錫的混合材料在真空狀態下蒸發氣化，并使其附著在玻璃表面形成薄膜，具有可見光透明、導電率高、紅外反射率高和微波衰減快的優點。在ITO導電薄膜的性能指標當中，方電阻（Ω/□）是最重要的一項，方電阻的大小與膜層厚度、成膜溫度、膜層結構等工藝參數關系密切。在真空鍍膜的過程中，方電阻的阻值控制難度較大，特別是在阻值精度要求高的生產過程中，容易出現阻值超差的情況。對于阻值超差的產品，需返工處理，這不但要去除膜層，還需對玻璃重新拋光，即需重啟拋光和鍍膜兩個程序，導致操作不便、增加生產成本以及降低鍍膜效率的問題。

目前對ITO圖案進行消影主要有兩種工藝：

第一種是ITO+SiO₂ 方式，先在玻璃表面濺射所需ITO薄膜，然后對ITO膜進行圖形化處理；再在ITO薄膜表面濺射相應厚度的SiO₂薄膜，并對其進行圖形化處理。由于SiO₂薄膜的圖形化處理需要單獨的設備，工藝相對復雜、良品率低，且鍍膜需要兩次，效率低，一般業界很少采用

第二種是五氧化二鈮+ SiO₂+ITO 方式，直接在玻璃表面連續濺射相應厚度的五氧化二鈮、SiO₂ 、ITO薄膜，然后只需對ITO薄膜進行圖形化處理即可。鍍膜工藝簡單、單面一次成型、透過率高、良品率高，為業界普遍采用。以80~100Ω/□的ITO薄膜為例，所需濺射的五氧化二鈮厚度約為80 ?，SiO₂ 薄膜厚度約為500 ?

對于雙面ITO結構的產品來說，理想的消影方式就是兩次 (五氧化二鈮+ SiO₂+ITO)鍍膜，但在對雙面ITO鍍膜導電玻璃進行連續化加工作業的實踐當中，發現采用雙面(五氧化二鈮+ SiO₂ +ITO)鍍膜的新工藝以后，第一面的ITO阻值在第二面消影鍍膜后偏移程度非常嚴重，由80~100Ω/□增加至300~500Ω/□。因此，亟需解決采用雙面消影這一新工藝所產生的阻值超差問題，才能穩定產品質量，提升鍍膜企業的核心競爭力。

發明內容

針對現有技術的不足，以及上述對雙面ITO結構或其它雙面導電氧化層的雙面消影工藝中所發現的阻值超差問題，本發明提供了一種雙面鍍膜導電玻璃的抗干擾加工方法，能克服生產過程中所產生的阻值超差問題，有效提升產品質量。

本發明的技術方案為：

一種雙面鍍膜導電玻璃的抗干擾加工方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）傳送載有玻璃基板的基片架到鍍膜機內；

2）在玻璃基板的一表面沉積高折射氧化物層A；