[發明專利]一種非晶態-納米晶復合結構的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201610730480.6 | 申請日： | 2016-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN106634940B | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發明（設計）人： | 王麗;蘇雪瓊;李樹峰;李宬漢;高東文 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | C09K9/00 | 分類號： | C09K9/00 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 張立改 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶態 納米 復合 結構 銦錫鈮鎵 氧化物 變色 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種非晶態-納米晶復合結構的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，利用元素摻雜和控制調整平均配位數方法，通過優化脈沖激光沉積法制備(ITO)x(Nb2O5)y(Ga2O3)1-x-y薄膜的工藝，整體薄膜制備為統一納米晶-非晶混合晶態結構，具體包括以下步驟：
步驟1，將4N級ITO、Nb2O5、Ga2O3的高純粉末混合研磨，得到銦錫鈮鎵氧化物高純混合粉料；
步驟2，將混合粉料放入高溫管式爐中，高溫預燒結；
步驟3，將預燒結后混合粉料放入壓靶機中，壓制成圓柱形靶材；
步驟4，將壓制后靶材再次放入高溫管式爐中，高溫燒結；
步驟5，將高溫燒結后靶材放入真空腔內，抽至本底真空度，關閉分子泵和閘板閥，通入氧氣，用355nm脈沖激光轟擊靶材，在基底上沉積得到非晶-納米晶復合結構的柔性電致變色薄膜；
步驟1中所述的ITO、Nb2O5、Ga2O3的高純混合粉末的摩爾比即x：y(1-x-y)為0.7-0.9:0.05-0.25:0.05-0.25。
2.按照權利要求1所述的一種非晶態-納米晶復合結構的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1中所述的ITO、Nb2O5、Ga2O3的高純混合粉末在高通量研磨儀中，使用800-1700轉/分轉速，研磨時間2-10小時。
3.按照權利要求1所述的一種非晶態-納米晶復合結構的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2中所述的高溫預燒結為在高溫管式爐中預燒結溫度1000℃-1300℃，時間為6小時-15小時。
4.按照權利要求1所述的一種非晶態-納米晶復合結構的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟3中所述的壓制靶材壓強為8-12MPa，壓制時間為5-20分鐘。
5.按照權利要求1所述的一種非晶態-納米晶復合結構的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，步驟5中所述的本底真空度為8*10-4Pa-1*10-5Pa，工作氣氛壓強為0.1Pa-5Pa，基底溫度為15℃-45℃，基底距離靶材3-6cm。
6.按照權利要求1所述的一種非晶態-納米晶復合結構的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜的制備方法，其特征在于，薄膜厚度在210nm-3000nm。
7.按照權利要求1-6任一項所述的方法制備得到的非晶態-納米晶復合結構的銦錫鈮鎵氧化物電致變色薄膜。
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