[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610729736.1
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN107689394B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾奕銘;梁文安;黃振銘
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含:

鰭狀結(jié)構(gòu)，位于一基底上；以及

隔離結(jié)構(gòu)，位于該鰭狀結(jié)構(gòu)中，該隔離結(jié)構(gòu)包含:

溝槽；

第一介電層，位于該溝槽中，包含底部的主體部、頂部的凸出部，具有頂面，以及連接該主體部及該凸出部的肩部，其中該凸出部的寬度小于該主體部的寬度，該肩部低于該凸出部的該頂面；以及

第二介電層，覆蓋該溝槽的頂角，并且被夾在該凸出部、該肩部以及該溝槽的一上側(cè)壁之間。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，另包含一鰭間隔離結(jié)構(gòu)，沿著該鰭狀結(jié)構(gòu)的延伸方向包圍該鰭狀結(jié)構(gòu)，其中該鰭間隔離結(jié)構(gòu)包含鰭間溝槽及介電層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該溝槽與該鰭間溝槽具有相同的深度。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一介電層的中央包含接縫，沿著該溝槽的深度方向延伸。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一介電層為氮化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，另包含襯層，位于該主體部與該溝槽的一下側(cè)壁之間，其中該凸出部不與該襯層直接接觸。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二介電層的厚度大于該襯層的厚度。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該凸出部的該頂面低于該鰭狀結(jié)構(gòu)10至

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，另包含形成一柵極結(jié)構(gòu)，包含:

柵極體，位于該鰭狀結(jié)構(gòu)上，對準并完全覆蓋該溝槽；

間隙壁，位于該柵極體的相對兩側(cè)壁上；以及

柵極介電層，位于該間隙壁與該鰭狀結(jié)構(gòu)之間。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該柵極體填入該溝槽的一上部，該第二介電層被夾在該柵極體、該凸出部、該肩部以及該上側(cè)壁之間。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該柵極體包含金屬，該第二介電層包含界面層以及高介電常數(shù)介電層。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該界面層覆蓋該溝槽的該頂角和上側(cè)壁，該高介電常數(shù)介電層覆蓋該界面層和該凸出部的該頂面。

13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，另包含源/漏極區(qū)，位于該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該鰭狀結(jié)構(gòu)中并鄰近該溝槽，其中該源/漏極區(qū)的一底面低于該第一介電層的該肩部。

14.一種制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包含:

提供一鰭狀結(jié)構(gòu)，位于一基底上；

于該鰭狀結(jié)構(gòu)中形成溝槽；

形成一第一介電層，填充該溝槽，其中該第一介電層包含底部的一主體部、頂部的一凸出部，以及連接該主體部以及該凸出部的肩部，其中該凸出部的寬度小于該主體部的寬度，該肩部低于該凸出部的頂面；以及

形成一第二介電層，覆蓋該溝槽的一頂角，并且被夾在該凸出部、該肩部以及該溝槽的一上側(cè)壁之間。

15.如權(quán)利要求14所述的制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，另包含形成一鰭間隔離結(jié)構(gòu)，沿著該鰭狀結(jié)構(gòu)的延伸方向包圍該鰭狀結(jié)構(gòu)。

16.如權(quán)利要求14所述的制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中該第一介電層是利用原子層沉積法(ALD)形成。

17.如權(quán)利要求16所述的制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中該第一介電層為氮化硅。

18.如權(quán)利要求14所述的制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，形成該第一介電層之前，另包含形成一襯層，位于該溝槽的表面上。