[發明專利]一種磁性隨機存儲器的制作方法有效
| 申請號： | 201610725957.1 | 申請日： | 2016-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN107785483B | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發明（設計）人： | 劉少鵬;孟皓;劉波;李輝輝 | 申請（專利權）人： | 中電海康集團有限公司;浙江馳拓科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;H01L21/306 |
| 代理公司： | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 楊天嬌 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磁性 隨機 存儲器 制作方法 | ||
1.一種磁性隨機存儲器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在襯底之上，依次淀積下電極、MTJ、阻擋層、犧牲氧化層、上電極；
刻蝕出MTJ圓柱體，刻蝕停在下電極上面；
在下電極上面、及MTJ圓柱體周圍淀積保護層；
進行保護層刻蝕，刻蝕出自對準側墻；
以自對準側墻為依據，刻蝕下電極；
在襯底之上填充保護層后進行CMP化學機械剖光；
腐蝕掉犧牲氧化層；
在腐蝕掉犧牲氧化層的孔中進行金屬通孔填充，并進行CMP化學機械剖光；
以金屬通孔為硬掩膜，刻蝕保護層，停留在MTJ層上面；
最后填充氧化層并進行CMP化學機械剖光。
2.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器的制作方法，其特征在于，所述犧牲氧化層為SiO2。
3.根據權利要求2所述的磁性隨機存儲器的制作方法，其特征在于，所述犧牲氧化層厚度為1500～2000埃。
4.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器的制作方法，其特征在于，所述上電極和下電極為導電材料，包括Ta、TaN、Ti、TiN、TaAlN和TiAlN中任一種。
5.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器的制作方法，其特征在于，所述阻擋層的材料包括Ta、Ru、TaN、Ti、TiN中一種。
6.根據權利要求5所述的磁性隨機存儲器的制作方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為500～800埃。
7.根據權利要求1所述的磁性隨機存儲器的制作方法，其特征在于，所述保護層的材料為氮化硅SiN。
8.根據權利要求7所述的磁性隨機存儲器的制作方法，其特征在于，所述在下電極上面、及MTJ圓柱體周圍淀積的保護層厚度為200-400埃。
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