[發明專利]利用二次等離子體注入的等離子體蝕刻系統及方法有效
| 申請號： | 201610724716.5 | 申請日： | 2016-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN106486335B | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | T·Q·特蘭;S·樸;Z·翁;D·盧博米爾斯基 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 二次 等離子體 注入 蝕刻 系統 方法 | ||
【權利要求書】：
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