[發(fā)明專利]晶圓臨時(shí)鍵合的分離設(shè)備及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610724375.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107785298B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張少華;潘盼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 鄧超 |
| 地址: | 215300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 臨時(shí) 分離 設(shè)備 方法 | ||
1.一種晶圓臨時(shí)鍵合的分離設(shè)備,其特征在于,包括:
吸附裝置,用于對(duì)晶圓和襯底載片中的至少一個(gè)進(jìn)行吸附,所述晶圓與所述襯底載片之間預(yù)先通過粘合劑結(jié)合;
加熱裝置,用于對(duì)所述晶圓和所述襯底載片之間的粘合劑進(jìn)行加熱;
移動(dòng)裝置,用于移動(dòng)所述晶圓和所述襯底載片中的至少一個(gè),分離所述晶圓和所述襯底載片;
所述移動(dòng)裝置包括夾具和推動(dòng)裝置,所述夾具用于夾住所述襯底載片,所述推動(dòng)裝置用于推動(dòng)所述夾具。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓臨時(shí)鍵合的分離設(shè)備,其特征在于,所述推動(dòng)裝置為馬達(dá)或者氣缸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓臨時(shí)鍵合的分離設(shè)備,其特征在于,所述夾具還包括卡槽,所述卡槽用于夾住所述襯底載片。
4.一種晶圓臨時(shí)鍵合的分離方法,其特征在于,包括:
對(duì)晶圓和襯底載片中的至少一個(gè)進(jìn)行吸附,所述晶圓與所述襯底載片之間預(yù)先通過粘合劑結(jié)合;
對(duì)所述晶圓和所述襯底載片之間的粘合劑進(jìn)行加熱;
利用一移動(dòng)裝置移動(dòng)所述晶圓和所述襯底載片中的至少一個(gè),分離所述晶圓和所述襯底載片;所述移動(dòng)裝置包括夾具和推動(dòng)裝置,利用所述夾具夾住所述襯底載片,利用所述推動(dòng)裝置推動(dòng)所述夾具。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓臨時(shí)鍵合的分離方法,其特征在于,對(duì)所述晶圓和所述襯底載片之間的粘合劑進(jìn)行加熱的溫度為粘合劑的流動(dòng)溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓臨時(shí)鍵合的分離方法,其特征在于,對(duì)晶圓和襯底載片中的至少一個(gè)進(jìn)行吸附,通過一真空裝置進(jìn)行吸附,所述真空裝置吸附晶圓或襯底后的真空度數(shù)值為60~100KPA。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓臨時(shí)鍵合的分離方法,其特征在于,所述對(duì)晶圓襯底載片中的至少一個(gè)進(jìn)行吸附,所述晶圓與所述襯底載片之間通過粘合劑結(jié)合的步驟之前還包括:
通過粘合劑將待加工晶圓和襯底載片結(jié)合在一起。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓臨時(shí)鍵合的分離方法,其特征在于,所述通過粘合劑將待加工晶圓和襯底載片結(jié)合在一起的步驟之后還包括:
對(duì)待加工晶圓進(jìn)行處理以降低待加工晶圓的厚度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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