[發明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201610719827.7
• 申請日: 2016-08-24
• 公開（公告）號: CN107785374B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 陳卓凡;張翼英
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有含硅凸起陣列和用于形成隔離結構的溝槽；

形成填充所述含硅凸起陣列間隙和用于形成隔離結構的溝槽的隔離結構氧化物；

去除部分所述填充層以露出所述含硅凸起的頂端；

對所述含硅凸起的頂端執行離子體處理以在所述含硅凸起的頂端形成電流阻擋層；

去除部分所述填充層以露出所述含硅凸起，并在所述半導體襯底中形成隔離結構。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底上形成含硅凸起陣列的步驟包括：

在所述半導體襯底上形成含硅材料層和圖形化的硬掩膜層；

以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜刻蝕所述含硅材料層以形成含硅凸起陣列；

以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜刻蝕所述半導體襯底以形成用于形成隔離結構的溝槽。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述圖形化硬掩膜層包括氧化物。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述含硅材料層和所述圖形化硬掩膜層之間還形成有氮化物停止層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述電流阻擋層為氮化物。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，對所述含硅凸起的頂端執行含氮等離子體處理，以形成所述氮化物。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述含氮等離子體處理為N2或NH3等離子體處理。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述含硅凸起陣列為多晶硅浮柵陣列。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述含硅凸起陣列為含硅鰭片陣列。