[發(fā)明專利]一種同位素脈沖標(biāo)定石墨烯生長速度的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610719183.1 | 申請日: | 2016-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN107782709B | 公開(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉忠范;彭海琳;孫祿釗;林立 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號: | G01N21/65 | 分類號: | G01N21/65 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 關(guān)暢 |
| 地址: | 100871 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 同位素 脈沖 標(biāo)定 石墨 生長 速度 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種同位素脈沖標(biāo)定石墨烯生長速度的方法。該方法包括:將基底依次進(jìn)行升溫和退火后,在還原性氣體和12C碳源氣體中,進(jìn)行石墨烯的生長,生長完畢后降溫切斷氣源,得到石墨烯;其中,所述石墨烯的生長步驟中,以脈沖形式通入13C碳源氣體。該方法在不改變原氣流的基礎(chǔ)上引入同位素脈沖,操作簡便,耗費(fèi)同位素氣體少,對石墨烯生長影響小,能低成本準(zhǔn)確地還原石墨烯生長過程,標(biāo)定石墨烯單晶生長速度,間接評定工業(yè)級石墨烯生長的能耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于材料領(lǐng)域,涉及一種同位素脈沖標(biāo)定石墨烯生長速度的方法。
背景技術(shù)
石墨烯是一種由碳原子構(gòu)成的sp2雜化的二維材料,具有優(yōu)良的力學(xué)、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),被認(rèn)為是下一代電子學(xué)和光電子學(xué)的基礎(chǔ)材料。制備大面積、高質(zhì)量的石墨烯單晶薄膜對其真正應(yīng)用于電子器件十分重要。化學(xué)氣相沉積法(CVD)在各種制備技術(shù)中脫穎而出,尤其以銅箔為基底作為催化劑的CVD石墨烯生長,已經(jīng)成為石墨烯大單晶制備的主流。
通過引入氧預(yù)處理銅箔基底,并降低碳前驅(qū)體的供給,可以實(shí)現(xiàn)厘米級石墨烯單晶的生長。但是,高質(zhì)量的大單晶石墨烯的生長速度通常非常慢(每分鐘幾微米),這造成的長時(shí)間的高溫生長對能量的消耗巨大。因此,快速可控地生長大單晶石墨烯是業(yè)內(nèi)的挑戰(zhàn),對生長速度的標(biāo)定也十分必要。
石墨烯在銅箔或銅鎳合金上生長是受到表面催化機(jī)理的控制,碳前驅(qū)體在表面催化裂解形成活性碳物種,然后在基底表面遷移,鍵合形成石墨烯單晶疇區(qū)并不斷長大,拼接成完整的石墨烯薄膜。石墨烯單晶疇區(qū)生長的過程是沿二維方向外延,因此可利用同位素標(biāo)記的生長方法,追蹤石墨烯生長過程,計(jì)算出生長速度。因?yàn)樘嫉耐凰卦淤|(zhì)量不同,其拉曼振動(dòng)模式也會(huì)分開,因此可以容易地在拉曼譜中檢測出同位素碳原子的分布。
然而,以前報(bào)道的同位素標(biāo)記方法依靠普通碳源和同位素標(biāo)記碳源之間的切換,耗費(fèi)昂貴的同位素氣體多,并且切換的過程不可避免地會(huì)對生長過程產(chǎn)生擾動(dòng),從而影響生長速度標(biāo)定的準(zhǔn)確性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種同位素脈沖標(biāo)定石墨烯生長速度的方法。
本發(fā)明提供的標(biāo)定石墨烯生長速度的方法,包括如下步驟:
1)將基底依次進(jìn)行升溫和退火后,在還原性氣體和12C碳源氣體中,進(jìn)行石墨烯的生長,生長完畢后降溫切斷氣源,得到石墨烯;
其中,所述石墨烯的生長步驟中,以脈沖形式通入13C碳源氣體;
在所述步驟1)之后,還包括如下步驟2):
2)對所得石墨烯中13C的空間分布進(jìn)行檢測和統(tǒng)計(jì),并與脈沖的通入時(shí)間對應(yīng),得到所述石墨烯的生長速度。
上述方法中,所述12C碳源氣體選自甲烷、乙烷、甲醇、乙醇和乙腈中的至少一種;
所述13C碳源氣體為13C標(biāo)記的所述12C碳源氣體;
所述13C碳源氣體的流量占所述12C碳源氣體和13C碳源氣體總流量的5%-50%,具體可為5%、10%、20%、44%或50%;流量的單位可為sccm(standard-state cubiccentimeter per minute);
通過調(diào)整13C碳源氣體的流量占總流量的百分比,即可實(shí)現(xiàn)對所得石墨烯產(chǎn)品中13C和12C比例的任意調(diào)整;
脈沖持續(xù)的時(shí)間為3s–3min,具體可為6s-8s、15s、40s、60s、90s、120s或180s。
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- 專利分類
G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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