[發(fā)明專利]一種微波探測系統(tǒng)及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610716125.3
• 申請日: 2016-08-24
• 公開（公告）號: CN106323994B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周忠祥;吳憂;施扣忠;李均;袁承勛
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: G01N22/00
• 分類號: G01N22/00
• 代理公司: 哈爾濱市文洋專利代理事務(wù)所(普通合伙) 23210
• 代理人: 范欣

1.微波探測方法，其特征在于包括如下步驟：

對微波探測系統(tǒng)施加外電場E，并進(jìn)行電場控制調(diào)節(jié)標(biāo)定，建立外電場E與共振頻率的一一對應(yīng)關(guān)系f(E)＝γ(H₀+kE)，其中H₀為外加靜磁場強(qiáng)度，γ為電子旋磁比，E為外電場的電場強(qiáng)度，k為線性系數(shù)，然后對微波探測系統(tǒng)施加未知微波；

獲取微波頻率的步驟，對已施加未知微波的微波探測系統(tǒng)進(jìn)行電場掃描，獲得出現(xiàn)微波功率吸收峰處的電場強(qiáng)度E₁，根據(jù)外電場E與共振頻率的對應(yīng)關(guān)系f(E₁)＝γ(H₀+k E₁)，獲得被探測微波的頻率f(E₁)；

獲取微波方向的步驟，對已施加未知微波的微波探測系統(tǒng)進(jìn)行電場掃描，獲得出現(xiàn)微波功率吸收峰處的電場強(qiáng)度E₁，構(gòu)建外電場E與共振頻率的關(guān)系f(E₁)＝γ(H₀+kE)sinθ，θ為未知微波入射方向與總磁場H方向的夾角，即獲得微波方向；

獲取微波相位的步驟，對已施加未知微波的微波探測系統(tǒng)進(jìn)行電阻測量，所述電阻測量為測量鐵磁薄膜的電阻；獲得電阻的相位變化，微波相位與電阻變化相位一致，即獲得微波相位；

所述微波探測系統(tǒng)包括多鐵異質(zhì)結(jié)和硅基共面波導(dǎo)，所述硅基共面波導(dǎo)上設(shè)置多鐵異質(zhì)結(jié)；所述多鐵異質(zhì)結(jié)為鐵磁金屬薄膜和鐵電單晶進(jìn)行層狀復(fù)合而成的多鐵異質(zhì)結(jié)。