[發明專利]一種提高多晶硅雙面太陽能電池背面開壓的鍍膜工藝有效

申請號：	201610709302.5	申請日：	2016-08-24
公開（公告）號：	CN106328759B	公開（公告）日：	2018-03-02
發明（設計）人：	趙科巍;郭衛;王恩宇;申開愉;張之棟;張波	申請（專利權）人：	山西潞安太陽能科技有限責任公司
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18
代理公司：	太原市科瑞達專利代理有限公司14101	代理人：	李富元
地址：	046000 山***	國省代碼：	山西;14
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種提高多晶雙面太陽能電池背面鍍膜工藝
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【權利要求書】：

1.一種提高多晶硅太陽能電池背面開壓的鍍膜工藝，其特征在于按照如下的步驟進行：

步驟一、將多晶硅片基材和純銀靶材置于等離子合金化爐內，抽真空至0.5Pa后，通入NH₃，氣壓控制在35Pa，同時開啟工件電源和源極電源，使工件電壓高于源極電壓，壓差保持250V，緩慢升高電壓，溫度升至930℃后，保溫30min，對工件兩面分別進行濺射2-4秒，使在多晶硅片背面表面形成一層銀硅摻雜層；

步驟二、將溫度降到430℃-450℃進行PECVD鍍膜，底層膜鍍膜時，SiH₄氣體流量為3.6slm，NH₃的氣體流量為1100sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W，頂層膜鍍膜時，SiH₄氣體流量為6.8slm，NH₃的氣體流量為680sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W。

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