[發明專利]一種經芳香族化合物修飾的黑磷及其制備方法與應用有效
| 申請號: | 201610707744.6 | 申請日: | 2016-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN106315531B | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發明(設計)人: | 喻學鋒;趙岳濤;王懷雨 | 申請(專利權)人: | 深圳先進技術研究院 |
| 主分類號: | C01B25/02 | 分類號: | C01B25/02;C07C201/12;C07C205/06;C07C17/35;C07C25/08;A61K41/00;A61P35/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芳香族 化合物 修飾 黑磷 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種經芳香族化合物修飾的黑磷,所述經芳香族化合物修飾的黑磷為黑磷與芳香基團通過P-C共價鍵結合的產物;
所述芳香基團為取代或不取代的苯基。
2.根據權利要求1所述的經芳香族化合物修飾的黑磷,其中,所述取代或不取代的苯基具有式(I)所示的結構:
式(I)中R1~R5各自獨立地為氫原子、鹵素原子、硝基、羥基、C1~6烷基、C1~3烷氧基;
該C1~6烷基未經取代或經一個或多個以下基團取代:鹵素原子、硝基、羥基、氨基、甲基、乙基、正丙基;
該C1~3烷氧基未經取代或經一個或多個以下基團取代:鹵素原子、硝基、羥基、氨基、甲基、乙基、正丙基。
3.根據權利要求1所述的經芳香族化合物修飾的黑磷,其中,所述取代或不取代的苯基具有如下結構:
4.根據權利要求1~3中任一項所述的經芳香族化合物修飾的黑磷,其中,所述黑磷包括黑磷烯、黑磷納米片或黑磷晶體。
5.根據權利要求4所述的經芳香族化合物修飾的黑磷,其中,所述黑磷為黑磷納米片。
6.權利要求1~4中任一項所述經芳香族化合物修飾的黑磷的制備方法,所述制備方法包括使芳香族化合物的重氮鹽與黑磷原料反應以制得所述經芳香族化合物修飾的黑磷的步驟。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其中,所述制備方法包括將所述黑磷原料溶于有機溶劑中,加入四叔丁基胺六氟磷酸鹽和所述芳香族化合物的重氮鹽,避光反應得到所述經芳香族化合物修飾的黑磷;或
將所述黑磷原料負載在基底上,然后使其在含有四叔丁基胺六氟磷酸鹽和所述芳香族化合物的重氮鹽的有機溶劑中避光反應得到所述經芳香族化合物修飾的黑磷。
8.根據權利要求6所述的制備方法,其中,所述芳香族化合物的重氮鹽包括芳香族化合物的四氟硼酸重氮鹽、吡唑重氮內鹽和三碟烯重氮鹽中的一種或多種。
9.根據權利要求7所述的制備方法,其中,所述有機溶劑包括乙腈、乙醇、異丙醇、丙酮、乙酸乙酯、二氯甲烷、三氯甲烷、四氫呋喃、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亞砜中的一種或多種;
所述基底包括硅片。
10.根據權利要求9所述的制備方法,其中,所述硅片包括表面未涂被的硅片、表面涂被二氧化硅或氮化硅的硅片。
11.根據權利要求6~9中任一項所述的制備方法,其中,所述黑磷原料在反應體系中的濃度為10μg/ml~10mg/ml。
12.根據權利要求11所述的制備方法,其中,所述四叔丁基胺六氟磷酸鹽在反應體系中的濃度為0.01~10mol/L。
13.根據權利要求11所述的制備方法,其中,所述芳香族化合物的重氮鹽在反應體系中的濃度為0.01~100mmol/L。
14.根據權利要求11所述的制備方法,其中,所述反應是在20~40℃下反應1~24h。
15.一種組合物,其含有權利要求1~4中任一項所述的經芳香族化合物修飾的黑磷或權利要求6~11中任一項所述的制備方法制得的經芳香族化合物修飾的黑磷。
16.權利要求1~4中任一項所述的經芳香族化合物修飾的黑磷或權利要求6~11中任一項所述的制備方法制得的經芳香族化合物修飾的黑磷或權利要求15中所述組合物在制備薄膜晶體管材料、電池的負極材料、柔性顯示材料、LED材料、光開關材料、生物傳感器材料、光動力治療試劑或光熱治療試劑中的應用。
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