[發(fā)明專利]一種收集極結構參數的選取方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610704884.8 | 申請日: | 2016-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN106298404B | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 胡權;孫麗娟;胡玉祿;朱小芳;楊中海;李斌 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H01J23/027 | 分類號: | H01J23/027;G06F17/50 |
| 代理公司: | 電子科技大學專利中心51203 | 代理人: | 張楊 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 收集 結構 參數 選取 方法 | ||
1.一種收集極結構參數的選取方法,該方法包括:
步驟1:通過對收集極入口處電子的狀態(tài)進行分析,利用MTSS計算收集極效率最高時,收集極各級所對應的電壓值;
步驟2:利用MTSS所得到的收集極各級所對應電壓值,計算出電子打到收集極上所產生的熱功率,使所產生的熱功率P熱等于收集極自身的耗散功率P耗,其中P耗的表達式為:
P耗=α·S
式中α為收集極表面的平均耗散功率密度,S為收集極側壁的表面積;根據電子打到收集極上所產生的熱功率的大小P熱計算出收集極的側壁表面積的大小;根據實際條件確定出收集極的外半徑及厚度,由此得出收集極各級對應的電極長度;
其中第一級收集極尺寸計算方法為:
P回1=N1·|V1|I
其中,P熱1表示第一級所產生的熱功率,入口處第i條電子軌跡內電子的能量的大小為Ei,所對應的電壓降為ui,N1表示第1級收集極所收集的電子軌跡的數目,V1表示第1級收集極所加電壓的大小,I表示各條電子軌跡的電流大小;
第一級尺寸計算公式為:
P熱1=2π(R-d)·h1·α
其中R為收集極外半徑的大小,d為收集極側壁的厚度,h1為第一級收集極的長度;
第二級收集極的尺寸計算方法與第一級相同;
第三級收集極中:P熱3=N·e(U-|V3|);
其中,P熱3為第三級所產生的熱功率,N表示入口處電子軌跡數,U為螺旋線電壓的值,V3為第3級收集極所加電壓的大小;第三級尺寸計算公式與第一級相同;
步驟3:根據步驟1獲得收集極各級所對應的電壓值確定各級電壓待選區(qū)間;將收集極各級電壓±10%的電壓區(qū)間作為電壓待選區(qū)間;根據實際需要確定步長d,在各級電壓待選區(qū)間中以步長d遍歷所有電壓,遍歷過程中采用MTSS方法計算出該收集級的最高效率,將最高效率對應的各級電壓值設定為收集級各級對應的電壓值。
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