[發明專利]一種半導體封裝結構及加工方法在審
| 申請號: | 201610704492.1 | 申請日: | 2016-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN106711100A | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發明(設計)人: | 曹周;徐振杰 | 申請(專利權)人: | 杰群電子科技(東莞)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/492;H01L23/498;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 張海英,林波 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 封裝 結構 加工 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,尤其涉及一種半導體封裝結構,以及該半導體封裝結構的加工方法。
背景技術
隨著無線通信技術的發展,無線通信系統的復雜度迅速增加,多種移動通訊網絡并存,例如現在廣泛應用的2G、3G和4G移動通訊網絡。另外,人們也希望移動終端功能增加的同時越來越薄或越來越小。因此,這些需求對移動終端內部集成電路的性能和集成度要求越來越高,工作速率和功耗也越來越大,對封裝結構的要求也更高,尤其是對封裝散熱要求更加嚴苛。
為了實現集成電路芯片內焊墊與外部之間的電氣連接,以及為集成電路芯片提供一個穩定可靠的工作環境,集成電路封裝是必不可少的一個環節。集成電路封裝質量的好壞,對集成電路總體的性能優劣關系很大。在現有技術中通常為將芯片整體進行封裝的結構,該結構使得芯片完全被環氧樹脂密封,由于環氧樹脂的導熱性能不佳,造成了芯片的散熱能力難以保證,制約了半導體器件的發展。另外現有技術中的半導體器件的電極分別位于芯片的兩側,或位于不同的水平面上,在芯片與PCB進行組裝的過程中需要設計相應結構的PCB以適應芯片的安裝,上述情況會造成安裝程序變得復雜,成本增加。
發明內容
本發明的一個目的在于:提供一種半導體封裝結構,用于解決芯片封裝散 熱問題。
本發明的另一個目的在于:提供一種半導體封裝結構,其可以解決芯片電極位于不同平面影響安裝的問題。
本發明的再一個目的在于:提供一種芯片加工方法,用于加工上述芯片。
為達此目的,本發明采用以下技術方案:
一方面,提供一種半導體封裝結構,包括芯片,所述芯片具有第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面,所述第一表面以及所述第二表面均設置有電極,所述第一表面與所述電極對應的位置覆蓋有錫膏,其余位置覆蓋有塑封材料,所述錫膏以及所述塑封材料的外表面形成封裝表面,所述第二表面直接連接電連接件。
作為所述的半導體封裝結構的一種優選的技術方案,所述第一表面上覆蓋的所述塑封材料與所述錫膏的厚度相同。
作為所述的半導體封裝結構的一種優選的技術方案,所述芯片通過導電結合材與所述電連接件固定連接。
作為所述的半導體封裝結構的一種優選的技術方案,所述第一表面設置的電極為源極和柵極,所述第二表面設置的電極為漏極。
作為所述的半導體封裝結構的一種優選的技術方案,所述電連接件為引線框架,所述引線框架包括與所述芯片連接的框架本體,以及于所述芯片一側向所述芯片方向翻折的框架折邊,所述框架折邊具有與所述封裝表面位于同一平面的折邊端面,所述框架折邊與所述芯片之間設置有絕緣材料。
作為所述的半導體封裝結構的一種優選的技術方案,所述電連接件為PCB,所述PCB包括與所述芯片連接的PCB本體,以及于所述芯片一側向所述芯片方向延伸的PCB凸臺,所述PCB凸臺具有與所述封裝表面位于同一平面的凸臺表 面。
作為所述的半導體封裝結構的一種優選的技術方案,所述PCB中設置有用于導電的導電銅箔,所述導電銅箔由所述PCB本體延伸至所述PCB凸臺,并外露于所述凸臺表面。
作為所述的半導體封裝結構的一種優選的技術方案,所述PCB具有與用于安裝所述芯片的上表面以及與所述上表面相對的下表面,所述上表面與所述下表面之間設置有導熱銅箔以及用于散熱的散熱通孔。
另一方面,提供一種如上所述的半導體封裝結構的加工方法,對芯片進行單面樹脂封裝,并在封裝面電極對應的位置印刷錫膏,使所述錫膏與封裝樹脂共同構成封裝表面,非封裝表面焊接于電連接件上。
作為所述的半導體封裝結構及加工方法的優選技術方案,具體包括以下步驟:
步驟S1、電極加工,在晶圓第一表面制作源極以及柵極,與所述第一表面相對的第二表面制作漏極;
步驟S2、印刷錫膏,在所述源極以及所述柵極的位置印刷錫膏,并通過回流焊使錫膏融化粘附于晶圓表面;
步驟S3、樹脂封裝,采用樹脂材料對所述第一表面進行表面封裝,使所述樹脂材料覆蓋整個第一表面并覆蓋所述錫膏;
步驟S4、研磨,對完成所述樹脂封裝的第一表面進行研磨,使所述錫膏露出;
步驟S5、切割,將所述晶圓進行切割,形成若干芯片
步驟S6、焊接,將所述芯片的所述第二表面焊接在所述電連接件上;
步驟S7、絕緣處理,對所述第二表面以外的所述芯片的其余表面與所述電 連接件之間進行絕緣處理。
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