[發明專利]完全集成低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201610704464.X
• 申請日: 2016-08-22
• 公開（公告）號: CN107040219B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: R·保蘭
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/19;H03F3/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成放大器設備，包括：電感輸入元件(Lin)、放大器電路(CA)、電感輸出元件(Lout)以及電感負反饋元件(Ldeg)，所述放大器電路(CA)和所述電感輸出元件(Lout)和所述電感負反饋元件(Ldeg)位于所述電感輸入元件(Lin)的內部，其中，所述電感輸入元件(Lin)被配置為允許輸入電流(IRFin)在第一方向上在輸入端子(RF_IN)和所述放大器電路(CA)之間流動，并且所述電感輸出元件(Lout)被配置為允許輸出電流(IRFout)在與所述第一方向相反的第二方向上在所述放大器電路(CA)和電源端子(Vdd)之間流動。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述放大器電路(CA)包括被配置為處于放大模式的至少一個第一晶體管(M1)。

3.根據權利要求2所述的設備，其中，所述放大器電路(CA)包括共源共柵組件，所述共源共柵組件包括所述第一晶體管(M1)和第二晶體管(M2)。

4.根據權利要求2或3所述的設備，其中，所述電感輸入元件(Lin)被耦合在所述設備(2)的輸入端子(RF_IN)和所述第一晶體管(M1)的柵極之間，所述第一晶體管(M1)的所述柵極被置于與所述電感輸入元件(Lin)的端部盡可能地接近。

5.根據權利要求2或3所述的設備，其中，所述電感負反饋元件(Ldeg)被耦合在所述第一晶體管(M1)的源極和接地端子(GND)之間，所述第一晶體管(M1)的源極被置于與所述電感負反饋元件(Ldeg)的一個端部盡可能地接近，并且所述接地端子(GND)被置于與所述電感負反饋元件(Ldeg)的另一個端部盡可能地接近。

6.根據權利要求1-3中的任何一項所述的設備，其中，所述電感輸入元件(Lin)包括非交叉螺旋形式的金屬跡線，其中所述放大器電路、所述電感輸出元件和所述電感負反饋元件位于所述非交叉螺旋的內部。

7.根據權利要求1所述的設備，其中，所述放大器電路、所述電感輸出元件和所述電感負反饋元件由集成電路襯底支撐。

8.一種集成放大器設備，包括：

半導體襯底；

線后端結構，由所述半導體襯底支撐；

放大器電路，形成在所述半導體襯底中和所述半導體襯底上；

電感輸入元件、電感輸出元件和電感負反饋元件，設置在所述線后端結構內；

其中所述電感輸入元件包括螺旋形狀；以及

其中所述放大器電路、所述電感輸出元件和所述電感負反饋元件位于所述電感輸入元件的所述螺旋形狀內，

其中，電感輸出元件也具有螺旋形狀，并且其中在所述電感輸入元件的所述螺旋形狀中流動的電流在與所述電感輸出元件的所述螺旋形狀中流動的相反方向中流動。

9.根據權利要求8所述的設備，其中，所述線后端結構包括金屬化層，并且所述電感輸入元件、所述電感輸出元件和所述電感負反饋元件形成在所述金屬化層中的一個或多個層中。

10.根據權利要求8所述的設備，其中，所述電感輸入元件的所述螺旋形狀為非交叉螺旋形式，并且其中所述電感輸出元件的所述螺旋形狀為交叉螺旋形式。