[發(fā)明專利]一種等離子體處理制備金屬氧化物薄膜阻變存儲器的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610704333.1 | 申請日： | 2016-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN106098937B | 公開（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳傳貴;孫翔宇;帥垚;潘忻強(qiáng);白曉園;張萬里 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人： | 張楊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 等離子體 處理 制備 金屬 氧化物 薄膜 存儲器 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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