[發明專利]一種P型埋層AlGaN-GaN高電子遷移率晶體管有效
| 申請號： | 201610704134.0 | 申請日： | 2016-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN106206711B | 公開（公告）日： | 2019-04-30 |
| 發明（設計）人： | 孫偉鋒;陳欣;魏家行;楊翰琪;任曉飛;劉斯揚;陸生禮;時龍興 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 型埋層 algan gan 電子 遷移率 晶體管 | ||
【說明書】：
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