[發(fā)明專利]繞射重迭標(biāo)記在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610701286.5 | 申請(qǐng)日： | 2016-08-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106469664A | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 唐明浩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 格羅方德半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/66 | 分類號(hào)： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314 | 代理人： | 程偉,王錦陽(yáng) |
| 地址： | 英屬開曼群*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 搜索關(guān)鍵詞： | 重迭 標(biāo)記 | ||
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 標(biāo)記裝置及標(biāo)記方法
- 同步數(shù)字體系網(wǎng)絡(luò)標(biāo)記交換的標(biāo)記處理方法
- 標(biāo)記裝置及標(biāo)記方法
- 標(biāo)記頭和標(biāo)記裝置
- 用于通過(guò)標(biāo)記光線標(biāo)記物體的標(biāo)記設(shè)備
- 標(biāo)記裝置以及標(biāo)記方法
- 標(biāo)記系統(tǒng)
- 激光標(biāo)記方法、激光標(biāo)記機(jī)及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 用于標(biāo)記標(biāo)記對(duì)象的標(biāo)記系統(tǒng)
- 標(biāo)記方法及標(biāo)記裝置
