[發(fā)明專利]芯片封裝結(jié)構(gòu)及芯片晶圓級封裝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610696171.1
• 申請日: 2016-08-19
• 公開（公告）號: CN107808876A
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉孟彬;毛劍宏
• 申請（專利權(quán)）人: 上海麗恒光微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L25/04
• 分類號: H01L25/04;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 李時(shí)云

1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一芯片，所述第一芯片包括一面，所述第一芯片具有第一器件區(qū)域以及焊接區(qū)域，所述第一器件區(qū)域的一面具有第一器件，所述焊接區(qū)域的一面具有第一焊墊，所述第一焊墊與第一器件電連接；

第二芯片，所述第二芯片包括第一面和與所述第一面相背的第二面，所述第二芯片具有第二器件區(qū)域以及通孔區(qū)域，所述第二器件區(qū)域的第一面具有第二器件，所述通孔區(qū)域內(nèi)具有導(dǎo)通所述第一面和第二面的通孔結(jié)構(gòu)，所述通孔結(jié)構(gòu)與第二器件電連接；

第一導(dǎo)電焊接部，分別連接所述第一焊墊和通孔結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔區(qū)域的第一面具有第一面焊墊，所述第一面焊墊連接所述通孔結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)電焊接部通過所述第一面焊墊連接所述通孔結(jié)構(gòu)，所述第一面焊墊與所述第二器件電連接。

3.如權(quán)利要求1或2所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括：

電路板以及第二導(dǎo)電焊接部，所述電路板位于所述第二芯片的第二面，所述第二導(dǎo)電焊接部分別連接所述電路板和通孔結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔區(qū)域的第二面具有第二面焊墊，所述第二面焊墊連接所述通孔結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電焊接部通過所述第二面焊墊連接所述通孔結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片為CMOS芯片，所述第一器件為CMOS器件，所述第二芯片為MEMS芯片，所述第二器件為MEMS器件；或，所述第二芯片為CMOS芯片，所述第二器件為CMOS器件，所述第一芯片為MEMS芯片，所述第一器件為MEMS器件。

6.一種芯片晶圓級封裝方法，其特征在于，包括：

提供一第一晶圓，所述第一晶圓包括一面，所述第一晶圓上具有多個(gè)第一芯片，所述第一芯片具有第一器件區(qū)域以及焊接區(qū)域，所述第一器件區(qū)域的一面具有第一器件，所述焊接區(qū)域的一面具有第一焊墊，所述第一焊墊與第一器件電連接；

提供一第二晶圓，所述第二晶圓包括第一面和與所述第一面相背的第二面，所述第二晶圓上具有多個(gè)第二芯片，所述第二芯片具有第二器件區(qū)域以及通孔區(qū)域，所述第二器件區(qū)域的第一面具有第二器件，所述通孔區(qū)域內(nèi)具有導(dǎo)通所述第一面和第二面的通孔結(jié)構(gòu)，所述通孔結(jié)構(gòu)與第二器件電連接；

將所述第一晶圓的一面與所述第二晶圓的第一面鍵合在一起，其中，一第一導(dǎo)電焊接部分別連接所述第一焊墊和通孔結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的芯片晶圓級封裝方法，其特征在于，所述芯片晶圓級封裝方法還包括：

將所述第二晶圓的第二面與一電路板鍵合在一起，其中，一第二導(dǎo)電焊接部分別連接所述電路板和通孔結(jié)構(gòu)；

切割所述第一晶圓、第二晶圓以及電路板，形成單粒的芯片晶圓級封裝結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求6或7所述的芯片晶圓級封裝方法，其特征在于，所述提供一第二晶圓的步驟包括：

提供一第二晶圓，所述第二晶圓包括第一面和與所述第一面相背的第二面，所述第二晶圓上具有多個(gè)第二芯片，所述第二芯片具有第二器件區(qū)域以及通孔區(qū)域，所述第二器件區(qū)域的第一面具有第二器件；

在所述通孔區(qū)域內(nèi)制備導(dǎo)通所述第一面和第二面的通孔結(jié)構(gòu)，所述通孔結(jié)構(gòu)與第二器件電連接。

9.如權(quán)利要求6所述的芯片晶圓級封裝方法，其特征在于，所述第一芯片為CMOS芯片，所述第一器件為CMOS器件，所述第二芯片為MEMS芯片，所述第二器件為MEMS器件；或，所述第二芯片為CMOS芯片，所述第二器件為CMOS器件，所述第一芯片為MEMS芯片，所述第一器件為MEMS器件。

10.如權(quán)利要求6所述的芯片晶圓級封裝方法，其特征在于，所述通孔區(qū)域的第一面具有第一面焊墊，所述第一面焊墊連接所述通孔結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)電焊接部通過所述第一面焊墊連接所述通孔結(jié)構(gòu)，所述第一面焊墊與所述第二器件電連接。