[發明專利]銅系金屬膜和金屬氧化物膜蝕刻液組合物及蝕刻方法

在審

• 申請號: 201610694790.7
• 申請日: 2016-08-19
• 公開（公告）號: CN107083552A
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 李恩遠;樸升煜;梁承宰
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C09K13/08;C09K13/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 鐘晶,金鮮英

1.一種銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻液組合物，相對于蝕刻液組合物總重量，包含：

過氧化氫5至25重量％、

含氟化合物0.01至1重量％、

唑類化合物0.1至5重量％、

一個分子內具有氮和羧基的水溶性化合物0.1至5重量％、

磺酸化合物0.1至5重量％、

多元醇型表面活性劑0.01至5重量％、和

使蝕刻液組合物總重量成為100重量％的余量的水。

2.根據權利要求1所述的銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻液組合物，其特征在于，所述含氟化合物包含選自由HF、NaF、NH₄F、NH₄BF₄、NH₄FHF、KF、KHF₂、AlF₃和HBF₄組成的組中的一種以上。

3.根據權利要求1所述的銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻液組合物，其特征在于，所述唑類化合物包含選自由三唑系、氨基四唑系、咪唑系、吲哚系、嘌呤系、吡唑系、吡啶系、嘧啶系、吡咯系、吡咯烷系和吡咯啉系化合物組成的組中的一種以上。

4.根據權利要求1所述的銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻液組合物，其特征在于，所述一個分子內具有氮和羧基的水溶性化合物包含選自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸組成的組中的一種以上。

5.根據權利要求1所述的銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻液組合物，其特征在于，所述磺酸化合物包含選自由甲磺酸、乙磺酸、對甲苯磺酸、三氟甲磺酸、苯磺酸、氨基磺酸和聚苯乙烯磺酸組成的組中的一種以上。

6.根據權利要求5所述的銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻液組合物，其特征在于，所述磺酸化合物包含氨基磺酸。

7.根據權利要求1所述的銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻液組合物，其特征在于，所述多元醇型表面活性劑包含選自由甘油、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇和聚乙二醇組成的組中的一種以上。

8.一種銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻方法，包括：

(1)在基板上形成銅系金屬膜的步驟；

(2)在所述銅系金屬膜上形成金屬氧化物膜的步驟；

(3)在所述金屬氧化物膜上選擇性地留下光反應物質的步驟；及

(4)使用權利要求1至7中任一項所述的蝕刻液組合物將銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻的步驟。

9.根據權利要求8所述的銅系金屬膜和金屬氧化物膜一并蝕刻方法，其特征在于，所述光反應物質是光致抗蝕劑物質，是通過曝光及顯影工序而被選擇性地留下。