[發明專利]一種超扭曲向列液晶顯示器驅動IC模擬電路在審
| 申請號: | 201610691765.3 | 申請日: | 2016-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN107767823A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 王小義 | 申請(專利權)人: | 王小義 |
| 主分類號: | G09G3/36 | 分類號: | G09G3/36 |
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| 地址: | 110179 遼寧省沈*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 扭曲 液晶顯示器 驅動 ic 模擬 電路 | ||
所屬技術領域
本發明涉及一種超扭曲向列液晶顯示器驅動IC模擬電路,適用于顯示器領域。
背景技術
隨著全球數字技術的突飛猛進,人們對電子設備的顯示提出了更高的要求。由于液晶具有特殊的理化和光電特性,決定了它能夠支持色彩顯示且不會閃爍,再加上液晶本身成本較低,且電壓低、功耗小、環保性能好,可以投入生產,所以液晶顯示器(LCD)成為21世紀顯示器的主流。為了配合LCD的發展和應用,LCD的驅動芯片也成為了研究的一個熱門。
我國對顯示產業的重視,推動了液晶顯示產業的發展,其中也包括STN-LCD的發展STN-LCD雖然顯示品質不如TFT-LCD,但是它制造工藝簡單,成本低,成了STN-LCD占據移動通訊等領域市場的重要因素。大多數LCD公司為了降低成本,STN-LCD仍然成為他們的首選。隨著人們對顯示質量的要求越來越高,為了更好的適應市場的需求,STN-LCD的顯示質量和顯示容量的提高以顯得刻不容緩,更高的分辨率,更寬的視角成了STN-LCD所追求的目標。
由上述STN-LCD的發展可知,與其它同類產品相比,其具有較高的性價比。現如今社會,人們都格外看重價格,不論商家還是買家,為了追求最大的利益,對同類產品而言,人們往往偏向于挑選性價比較高的那個,所以從某種角度來說,性價比的高低決定了產品所占的市場份額。這也就是為什么ST`N-LCD會被廣泛的應用在UKEY、手機、pDA等便攜式設備當中,直到現在還受到許多LCD商家的青睞。
STN-LCD液晶屬于被動矩陣式LCD器件,它的好處是功耗小,具有省電這一最大優勢。而在STN-LCD中與其相對應的驅動IC扮演了重要的角色,為了提高STN-LCD的性能,其相應驅動IC的性能也需要提高,所以研究驅動IC對于STN-LCD的發展有著相當重要的意義。
發明內容
本發明提供一種超扭曲向列液晶顯示器驅動IC模擬電路,電路結構緊湊,具有輕巧、省電、成本低等特點,保證了電路的可靠性,提高了性價比。
本發明所采用的技術方案是。
超扭曲向列液晶顯示器驅動IC模擬電路由過低溫度保護電路、上電復位電路模塊、帶隙基準電壓電路、LDO電路和內部運放電路組成。
所述過低溫度保護電路由一個比較器和一些邏輯電路組成。在比較器的兩端分別加有輸入信號和一個基準信號,兩個信號進行比較,由比較器將結果輸出給邏輯電路,經過邏輯電路的處理,最終將輸出一個保護信號,這個信號會被送入芯片各模塊內部。當輸出的保護信號為低電平時,芯片各模塊將會停止工作,起到保護整個芯片的作用。在或非門的一端加入延遲,是為了防止比較器輸出不穩定時造成的誤觸發。
所述上電復位電路模塊在電源上電前,A點電位VA=0, VDD=O。此時復位信號reset為低電平。當電源開始上電,A點電位仍為低,VDD為高,這時復位信號reset輸出高電平。經過一段時間后,當電容C充滿了電荷,此時A點電位為高,復位信號reset就會再次輸出低電平。這個電路主要是為了在芯片開始工作時,讓整個芯片先復位,恢復初始狀態,避免有紊亂的信號輸出,確保芯片的正常工作。
所述帶隙基準電壓電路中,雙極晶體管換成了PNP管,這是為了與CMOS工藝兼容。利用CMOS工藝中的P型襯底,N阱,和N阱中的P+區就可以做成一個PNP晶體管。其中P+區作為PNP管的發射區,N阱作為基區,P型襯底作為集電區。為了讓PNP管能夠正常工作,集電區與基區之間的PN結需反偏,所以P襯底須要接最低電位,即接地。
所述LDO電路由一個運放和一個MOS管構成,因為運放的特性,它會迫使輸入兩端電壓相等,通過調節負載電流來保證輸出電壓是一個穩定值。若若想要的電壓值等于Uref,只要使得Ra電阻為零即可。輸出電壓Vout只與電阻和基準電壓有關,與電源電壓無關,這說明LDO具有較高的電源抑制比,輸出電壓不受電源噪聲的影響。
所述內部運放電路是一個折疊式運放,M1管、M8管和M9管做電流源,與前級開啟電路的輸出組成電流鏡,Vbiasl與Vbias2分別為NMOS管與PMOS管提供偏置電壓,利用電流鏡的鏡像原理。M8,M9管的漏端電流ID8=ID9。為了保證運放能夠正常工作,除了電流源的偏置外,還需要給M6, M7管提供合適的偏置電壓。M7管為一個倒比管,因為該MOS管的溝道長度大于寬度,所以與普通MOS管相比,其柵源電壓VGs比較高。M6、 M7管的偏置電壓才能多出一個余量,其中VDS8是M8管漏源間的電壓,VTH為M6管的閾值電壓。這樣M6,M7管才能正常工作。
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