[發(fā)明專利]一種柔性O(shè)LED的薄膜封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610688621.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107768534A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖玲;李貴芳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 柔性 oled 薄膜 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種柔性O(shè)LED的薄膜封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。
背景技術(shù)
OLED 即有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode),具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對(duì)比度、可撓曲、低能耗等特性,因此受到廣泛的關(guān)注,并作為新一代的顯示方式,已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器,被廣泛應(yīng)用在手機(jī)屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。
由于OLED器件的材料性質(zhì),受到水分和氧氣侵襲后極易變質(zhì),因此要嚴(yán)格杜絕來自周圍環(huán)境的氧氣和潮氣進(jìn)入器件內(nèi)部接觸到敏感的有機(jī)物質(zhì)和電極。因?yàn)樵谟袡C(jī)發(fā)光裝置內(nèi)部,潮氣或者氧氣的存在容易引起其特性的退化或失效,即使微量的潮氣也會(huì)使有機(jī)化合物層與電極層剝離,產(chǎn)生黑斑,從而降低器件壽命。因而,為使OLED在長期工作過程中的退化和失效得到抑制,穩(wěn)定工作達(dá)到足夠的壽命,因此對(duì)OLED的薄膜封裝(thin film encapsulation,簡稱TFE)結(jié)構(gòu)提出很高的要求。
當(dāng)前柔性O(shè)LED的薄膜封裝結(jié)構(gòu)為有機(jī)(organic)/無機(jī)(inorganic)復(fù)合疊置膜層或多層無機(jī)膜層疊置結(jié)構(gòu),而由于現(xiàn)有制備薄膜封裝結(jié)構(gòu)的無機(jī)材質(zhì)和有機(jī)材料密封性不強(qiáng);為了達(dá)到良好密封效果的目的,需要制備無機(jī)膜層的厚度為300~1000nm,有機(jī)膜的厚度1um-10um;甚至有時(shí)為了提升封裝效果,還會(huì)在TFE之上增設(shè)厚度為50um以上的阻擋層(barrier film),這樣就會(huì)大大增加OLED封裝結(jié)構(gòu)的厚度,這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不期望見到的。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述存在的問題,本發(fā)明公開了一種柔性O(shè)LED的薄膜封裝結(jié)構(gòu),包括:
基板;
OLED器件,設(shè)置于所述基板之上;以及
薄膜封裝復(fù)合膜層,形成于所述基板之上,以將所述OLED器件封裝于所述基板上;
其中,所述薄膜封裝復(fù)合膜層至少包括一無機(jī)膜層,且所述無機(jī)膜層中包括含硅聚合物。
本發(fā)明還公開了一種柔性O(shè)LED的薄膜封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
于所述基板之上制備OLED器件;以及
制備一薄膜封裝復(fù)合膜層,通過所述薄膜封裝復(fù)合膜層將所述OLED器件封裝于所述基板之上;
其中,所述薄膜封裝復(fù)合膜層至少包括一無機(jī)膜層,且所述無機(jī)膜層中包括含硅聚合物。
上述發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果:
本發(fā)明公開了一種柔性O(shè)LED的薄膜封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法,通過于基板之上制備至少包括一無機(jī)膜層的薄膜封裝復(fù)合膜層,以將OLED予以封裝,且所述無機(jī)膜層中包括含硅聚合物,由于含硅聚合物具有良好的阻水氧特性,從而可以提高OLED的阻水氧效果,延長OLED的壽命。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述,本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖,重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例中柔性O(shè)LED的薄膜封裝結(jié)構(gòu)的示意圖;
圖2是本發(fā)明實(shí)施例中制備柔性O(shè)LED的薄膜封裝結(jié)構(gòu)的方法流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明,但是不作為本發(fā)明的限定。
實(shí)施例一:
如圖1所示,本實(shí)施例涉及一種柔性O(shè)LED的薄膜封裝結(jié)構(gòu),包括基板1、設(shè)置于基板1之上的OLED器件2、形成于基板1之上,以將OLED器件2封裝于基板1上的薄膜封裝復(fù)合膜層3;其中,薄膜封裝復(fù)合膜層3至少包括一無機(jī)膜層,且無機(jī)膜層中包括含硅聚合物,以提高OLED的阻水氧效果,延長OLED的壽命;可選的,該基板為TFT(薄膜晶體管)陣列基板。
在本發(fā)明一個(gè)可選的實(shí)施例中,上述含硅聚合物的材質(zhì)可選自以下材料或其任意組合:聚氧化硅、聚氮氧化硅,聚碳氮化硅、聚碳氧化硅、聚碳氮氧化硅和聚氮化硅等。
在本發(fā)明一個(gè)可選的實(shí)施例中,上述無機(jī)膜層的厚度較薄,具體的,該無機(jī)膜層的厚度為50nm~10um(例如50nm、1 um、5 um或10 um等)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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