[發(fā)明專利]鑄錠的熔煉方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610688331.8
• 申請日: 2016-08-18
• 公開（公告）號: CN107760877A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳景暉;姚力軍;鐘翔
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波創(chuàng)潤新材料有限公司
• 主分類號: C22B9/22
• 分類號: C22B9/22;B22D7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 高靜,吳敏

1.一種鑄錠的熔煉方法，其特征在于，包括：

提供熔煉設(shè)備，所述熔煉設(shè)備包括具有液態(tài)金屬的水平坩堝、位于所述水平坩堝下方的鑄錠圓坩堝、位于所述鑄錠圓坩堝上方的第一電子槍、位于所述鑄錠圓坩堝底部的拉錠機(jī)構(gòu)；

使所述水平坩堝中的液態(tài)金屬溢流并注入至所述鑄錠圓坩堝內(nèi)；

通過第一電子槍發(fā)射的第一電子束，對所述鑄錠圓坩堝內(nèi)的液態(tài)金屬進(jìn)行電子束掃描形成熔池，所述熔池位于所述鑄錠圓坩堝的頂部區(qū)域內(nèi)，所述熔池內(nèi)具有熔融金屬；

采用拉錠機(jī)構(gòu)對所述熔融金屬進(jìn)行多次拉錠處理以形成鑄錠；其中，所述拉錠處理的步驟包括：使所述拉錠機(jī)構(gòu)進(jìn)行下拉操作和上頂操作，且下拉距離小于或等于所述熔池深度的一半。

2.如權(quán)利要求1所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所述水平坩堝中的液態(tài)金屬溢流結(jié)束后，在等待下一次溢流的期間，通過所述拉錠機(jī)構(gòu)使所述熔池液面與所述鑄錠圓坩堝頂部的距離小于或等于3cm。

3.如權(quán)利要求2所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，在等待下一次溢流的期間，所述熔池液面與所述鑄錠圓坩堝頂部的距離在1cm至2cm的范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求2所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所述液態(tài)金屬溢流結(jié)束后，在等待下一次溢流的期間，所述熔煉方法還包括：使所述拉錠機(jī)構(gòu)進(jìn)行下拉操作和上頂操作，且間隔2分鐘至5分鐘進(jìn)行一次下拉操作和上頂操作。

5.如權(quán)利要求1所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所述水平坩堝的形狀為長方體，包括平行于所述水平坩堝延伸方向的第一側(cè)壁，位于所述第一側(cè)壁之間的第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁上設(shè)有溢料口且所述溢料口朝向所述鑄錠圓坩堝；沿所述水平坩堝的長方向?yàn)閅方向，沿所述水平坩堝的寬方向?yàn)閄方向，沿所述水平坩堝的高方向?yàn)閆方向；所述水平坩堝和鑄錠圓坩堝沿Z方向的投影具有重疊部分；

對所述鑄錠圓坩堝內(nèi)的液態(tài)金屬進(jìn)行電子束掃描之前，所述熔煉方法還包括：對所述第一電子槍進(jìn)行引束操作，使所述第一電子槍發(fā)射第一電子束；

對所述第一電子槍進(jìn)行引束操作的步驟中，將所述第一電子束聚焦于所述鑄錠圓坩堝的中心位置處；將所述第一電子束由中心位置處沿Y方向向所述水平坩堝一側(cè)移動第一距離；移動第一距離后，將所述第一電子束的掃描圖案尺寸以及所述第一電子槍的功率調(diào)整至預(yù)設(shè)值。

6.如權(quán)利要求5所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所述水平坩堝和鑄錠圓坩堝沿Z方向的投影具有重疊部分，所述重疊部分沿Y方向的距離為第二距離，所述第一距離為所述第二距離的30％至35％。

7.如權(quán)利要求5所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所述熔煉設(shè)備還包括位于所述水平坩堝上方的第二電子槍；

提供具有液態(tài)金屬的水平坩堝的步驟包括：向所述水平坩堝內(nèi)加入金屬坯料；使所述第二電子槍發(fā)射第二電子束，所述第二電子束對所述金屬坯料進(jìn)行電子束掃描，使所述金屬坯料熔化形成液態(tài)金屬；

使所述水平坩堝中的液態(tài)金屬溢流并注入至所述鑄錠圓坩堝內(nèi)的步驟包括：使所述第二電子束對靠近所述溢料口一側(cè)的液態(tài)金屬進(jìn)行電子束掃描。

8.如權(quán)利要求5所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，根據(jù)所形成鑄錠的直徑，調(diào)整所述第一電子槍的功率預(yù)設(shè)值。

9.如權(quán)利要求5或8所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所形成鑄錠的直徑為400mm；所述第一電子槍的功率預(yù)設(shè)值為235kW至265kW。

10.如權(quán)利要求5所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所述鑄錠為圓柱體，所述第一電子束的掃描圖案為圓形；

所述第一電子束的預(yù)設(shè)掃描直徑為所述鑄錠直徑的60％至70％。

11.如權(quán)利要求1所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所述熔池的深度為2cm至4cm。

12.如權(quán)利要求1所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所述拉錠處理的步驟中，下拉距離在1cm至2cm的范圍內(nèi)。

13.如權(quán)利要求1所述的鑄錠的熔煉方法，其特征在于，所述拉錠處理的步驟中，下拉距離和上頂距離的比值在1.9至2.1的范圍內(nèi)。