[發明專利]殺菌鍍膜膜層結構及其制備方法有效
| 申請號： | 201610687620.6 | 申請日： | 2016-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN106291783B | 公開（公告）日： | 2018-01-09 |
| 發明（設計）人： | 許遠飛;周旭華;李頂雄;周全 | 申請（專利權）人： | 天通（嘉興）新材料有限公司 |
| 主分類號： | G02B1/18 | 分類號： | G02B1/18 |
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| 地址： | 314005 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 殺菌 鍍膜 結構 方法 | ||
1.殺菌鍍膜膜層結構，其特征在于：包括用于設于基體(110)表面的膜層本體(120)，膜層本體(120)包括至少一層膜層單元，膜層單元包括在遠離基體(110)表面的方向上依次層疊的膜層單元組件層A和膜層單元組件層B，膜層單元組件層A的材質為二氧化硅，膜層單元組件層B的材質為氯化銀。
2.根據權利要求1所述的殺菌鍍膜膜層結構，其特征在于：所述至少一層膜層單元的數量為3個，分別為在遠離基體(110)表面的方向上依次層疊第一膜層單元、第二膜層單元和第三膜層單元。
3.根據權利要求2所述的殺菌鍍膜膜層結構，其特征在于：第一膜層單元包括第一膜層單元組件層A(121)和第一膜層單元組件層B(122)，第一膜層單元組件層A(121)的厚度為95.42nm，和第一膜層單元組件層B(122)的厚度為5.46nm；
第二膜層單元包括第二膜層單元組件層A(123)和第二膜層單元組件層B(124)，第二膜層單元組件層A(123)的厚度為61.46nm，第二膜層單元組件層B(124)的厚度為34.88nm；
第三膜層單元包括第三膜層單元組件層A(125)和第三膜層單元組件層B(126)，第三膜層單元組件層A(125)的厚度為16.40nm，第三膜層單元組件層B(126)的厚度為69.91nm。
4.一種殺菌鍍膜模層的制備方法，其包括以下步驟：
(1)在基體表面鍍一層第一膜層單元組件層A(121)，第一膜層單元組件層A(121)的材質為二氧化硅、厚度為95.42nm；
(2)在第一膜層單元組件層A(121)表面鍍一層第一膜層單元組件層B(122)，第一膜層單元組件層B(122)的材質為氯化銀、厚度為5.46nm；
(3)在第一膜層單元組件層B(122)表面鍍一層第二膜層單元組件層A(123)，第二膜層單元組件層A(123)的材質為二氧化硅、厚度為61.46nm；
(4)在第二膜層單元組件層A(123)表面鍍一層第二膜層單元組件層B(124)，第二膜層單元組件層B(124)的材質為氯化銀、厚度為34.88nm；
(5)在第二膜層單元組件層B(124)表面鍍一層第三膜層單元組件層A(125)，第三膜層單元組件層A(125)的材質為二氧化硅、厚度為16.40nm；
(6)在第三膜層單元組件層A(125)表面鍍一層第三膜層單元組件層B(126)，第三膜層單元組件層B(126)的材質為氯化銀、厚度為69.91nm。
5.根據權利要求4所述的殺菌鍍膜模層的制備方法，其特征在于：步驟(1)～(6)中的鍍膜方法采用蒸發鍍膜方法或磁控濺射鍍膜方法。
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