[發明專利]三維微流控芯片、其制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201610686227.5
• 申請日: 2016-08-18
• 公開（公告）號: CN107754870B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 周小虎;唐駿
• 申請（專利權）人: 廈門多維生物醫藥科技有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00;G01N33/50
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 張國梁

1.一種用來一步成型制作三維微流控芯片的加工方法，所述方法包括以下步驟：通過控制模板硅片的顯影時間來控制特定區域微結構的顯影深度，使得特定區域微結構的未交聯聚合光刻膠不被顯影劑完全溶解，從而使得模板硅片上的光刻膠具有三維結構，其中三維結構的縱向尺寸即顯影深度通過調節顯影時間來控制。

2.根據權利要求1所述的用來一步成型制作三維微流控芯片的加工方法，其中三維微流控芯片的單元間隔寬度d為2微米–100微米。

3.根據權利要求1或2所述的用來一步成型制作三維微流控芯片的加工方法，其中三維微流控芯片的單元間隔寬度d越小，達到所需顯影深度h所需的顯影時間越長。

4.一種三維微流控芯片，其通過如權利要求1-3中任一項所述的方法制作，其包括一個或多個U型壩，所述三維微流控芯片包括下述特征中的一項或多項：

1)所述U型壩的寬度為2微米–100微米，所述U型壩的深度為2微米–100微米，所述U型壩的高度為2微米–100微米；

2)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列；

3)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，其中所述多個U型壩在每列上對齊；

4)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，其中每一行的U型壩與相鄰行的U型壩交錯排列；

5)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，所述U型壩之間設置一個或多個突出物；

6)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，所述U型壩的底部留有缺口，即所述U型壩由中間留有空隙的兩個相對的L型形成；

7)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，在每排和每列的U型壩數目相同，或者后一排的U型壩數目大于其前面一排的U型壩數目；

8)所述三維微流控芯片通過蛋白包被。

5.權利要求4所述的三維微流控芯片，所述三維微流控芯片包括下述特征中的一項或多項：

1)所述U型壩內部空間包括矩形、橢圓形、三角形、不規則形；

2)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，每行兩個U型壩之間的平行間距為10微米–80微米，每列兩個U型壩之間的垂直間距為10微米–100微米；

3)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，所述U型壩之間設置一個或多個突出物，所述突出物在所述U型壩的上方，在每行和每列兩個U型壩之間，或者僅在靠近邊緣的兩列U型壩外側設置；

4)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，所述U型壩的底部留有缺口，即所述U型壩由中間留有空隙的兩個相對的L型形成，所述缺口的寬度小于10微米；

5)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，其中在第一排U型壩的上方設置突出物。

6.權利要求4或5所述的三維微流控芯片，所述三維微流控芯片包括下述特征中的一項或多項：

1)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，每列兩個U型壩之間的垂直間距大于每行兩個U型壩之間的平行間距；

2)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，所述U型壩之間設置一個或多個突出物，所述突出物的形狀包括三角形，橢圓形，水滴狀，圓形；

3)所述三維微流控芯片包括多個U型壩，所述多個U型壩排列成陣列，所述U型壩的底部留有缺口，即所述U型壩由中間留有空隙的兩個相對的L型形成，所述缺口的寬度小于5微米。

7.權利要求4或5所述的三維微流控芯片，其中所述U型壩包括反向相鄰設置的兩個U型壩。

8.權利要求7所述的三維微流控芯片，其中所述U型壩包括反向相鄰設置的兩個U型壩呈H型。

9.權利要求8所述的三維微流控芯片，其中呈H型的反向相鄰設置的兩個U型壩的大小相同。