[發(fā)明專利]存儲器裝置的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610682869.8 | 申請日： | 2016-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN107768515B | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 林家鴻;林立偉;曾逸賢;蔡宗寰 | 申請（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 湯在彥;郭曉宇 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 裝置 形成 方法 | ||
1.一種存儲器裝置的形成方法，其特征在于，包括：
形成多個存儲器單元；
對該些存儲器單元實施一第一烘烤；
設定一規(guī)定電流；以及
在實施該第一烘烤之后，對該些存儲器單元實施一檢驗程序，其中該檢驗程序包括:
讀取該存儲器單元的電流，其中當該存儲器單元的讀取電流大于或等于該規(guī)定電流，則完成該些存儲器單元的該檢驗程序，或者當該存儲器單元的讀取電流小于該規(guī)定電流，對該些存儲器單元實施一再形成工藝，形成多個再形成的存儲器單元，并對該些再形成的存儲器單元實施該檢驗程序；
實施該檢驗程序之后，施加一初始重置電壓于該些存儲器單元；
施加該初始重置電壓之后，施加一設定電壓于該些存儲器單元；
施加該設定電壓之后，施加一重置電壓于該些存儲器單元；以及
施加該重置電壓之后，對該些存儲器單元實施一第二烘烤。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的形成方法，其特征在于，在對該些存儲器單元施加該重置電壓之后和實施該第二烘烤之前，對該些存儲器單元實施該第一烘烤、設定該規(guī)定電流及實施該檢驗程序。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的形成方法，其特征在于，在施加該重置電壓于該些存儲器單元之前和施加該設定電壓于該些存儲器單元之后，對該些存儲器單元實施該第一烘烤、設定該規(guī)定電流及實施該檢驗程序。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的形成方法，其特征在于，在施加該設定電壓于該些存儲器單元之前和施加該初始重置電壓于該些存儲器單元之后，對該些存儲器單元實施該第一烘烤、設定該規(guī)定電流及實施該檢驗程序。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的形成方法，其特征在于，在施加該初始重置電壓于該些存儲器單元之前和形成該些存儲器單元之后，對該些存儲器單元實施該第一烘烤、設定該規(guī)定電流及實施該檢驗程序。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的形成方法，其特征在于，該第二烘烤的溫度范圍低于該第一烘烤的溫度范圍。
7.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的形成方法，其特征在于，該第二烘烤的時間比該第一烘烤的時間長。
8.如權(quán)利要求6所述的存儲器裝置的形成方法，其特征在于，該第一烘烤的溫度范圍介于260℃至280℃之間。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的形成方法，其特征在于，更包括設定一再形成次數(shù)上限，且其中該檢驗程序更包括：
檢驗該些存儲器單元的一再形成次數(shù)，其中當該再形成次數(shù)等于該再形成次數(shù)上限，則結(jié)束該些存儲器單元的該檢驗程序，或者當該再形成次數(shù)小于該再形成次數(shù)上限，進行該再形成工藝，并實施該些存儲器單元的該檢驗程序。
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