[發(fā)明專利]變換器及其控制方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610680715.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107769547A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫政臣;黃昊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 聯(lián)合汽車電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M3/155 | 分類號(hào): | H02M3/155 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201206 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 變換器 及其 控制 方法 | ||
1.一種變換器,包括多個(gè)并聯(lián)的半橋,每個(gè)半橋包括第一MOS晶體管、第二MOS晶體管和第一電感;所述第一MOS晶體管的漏極、第二MOS晶體管的源極和第一電感的一端連接于第一節(jié)點(diǎn),所述變換器中所有第一MOS晶體管的源極連接于第二節(jié)點(diǎn),所有第二MOS晶體管的漏極連接于第三節(jié)點(diǎn),所有第一電感的另一端連接于第四節(jié)點(diǎn),其特征在于,所述第一MOS晶體管的柵極連接于第一控制信號(hào),所述第二MOS晶體管的柵極連接于第二控制信號(hào);所述第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)為互補(bǔ)信號(hào)。
2.一種變換器,包括多個(gè)并聯(lián)的半橋,每個(gè)半橋包括第一MOS晶體管、第二MOS晶體管和第一電感;所述第一MOS晶體管的漏極、第二MOS晶體管的源極和第一電感的一端連接于第一節(jié)點(diǎn),所述變換器中所有第一MOS晶體管的源極連接于第二節(jié)點(diǎn),所有第二MOS晶體管的漏極連接于第三節(jié)點(diǎn),所有第一電感的另一端連接于第四節(jié)點(diǎn),其特征在于,所述第一MOS晶體管的柵極連接于第一控制信號(hào),所述第二MOS晶體管的柵極連接于第二控制信號(hào);當(dāng)一個(gè)周期流經(jīng)第一電感的平均電流大于一臨界切換電流時(shí),所述第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)為互補(bǔ)信號(hào);當(dāng)一個(gè)周期流經(jīng)第一電感的平均電流小于臨界切換電流時(shí),所述第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)為獨(dú)立信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的變換器,其特征在于,還包括一放大器,所述放大器用以接收一MCU同時(shí)發(fā)出的第一原始控制信號(hào)和第二原始控制信號(hào),經(jīng)過放大處理后輸出所述第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)。
4.如權(quán)利要求1所述的變換器,其特征在于,所述臨界切換電流為所述第一電感在斷續(xù)模式和連續(xù)模式之間進(jìn)行切換時(shí)流經(jīng)所述第一電感的電流。
5.如權(quán)利要求4所述的變換器,其特征在于,所述臨界切換電流由以下公式獲得:
其中,Io_crit為臨界切換電流,Vo為第四節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的電壓,Vi為第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的電壓,Ts為第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)一個(gè)周期的時(shí)長,L為第一電感的電感值。
6.如權(quán)利要求1所述的變換器,其特征在于,當(dāng)所述一個(gè)周期流經(jīng)第一電感的平均電流小于臨界切換電流時(shí),
Dsync=(Vi-Vo)/Vo·Dmain,
其中,Dsync為第二控制信號(hào)的占空比,Dmain為第一控制信號(hào)的占空比,Vo為第四節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的電壓,Vi為第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間的電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的變換器,其特征在于,當(dāng)所述一個(gè)周期流經(jīng)第一電感的平均電流大于臨界切換電流時(shí),
Dsync+Dmain=1,
其中,Dsync為第二控制信號(hào)的占空比,Dmain為第一控制信號(hào)的占空比。
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