[發明專利]石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法

在審

• 申請號: 201610679703.0
• 申請日: 2016-08-17
• 公開（公告）號: CN107765511A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發明（設計）人: 方小紅;徐一麟;王聰;尤瑩;陳小源;萬吉祥
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海高等研究院
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;G03F7/20;G03F7/40
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 余明偉

1.一種石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1)提供目標結構，在所述目標結構表面制備復合透明導電薄膜，所述復合透明導電薄膜包括石墨烯薄膜及銀納米線薄膜；

2)在所述復合透明導電薄膜表面制備圖形化光刻膠掩膜層；

3)依據所述圖形化光刻膠掩膜層刻蝕所述復合透明導電薄膜；

4)去除所述圖形化光刻膠掩膜層，完成對所述透明導電薄膜的圖形化處理。

2.根據權利要求1所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：

步驟1)中，所述目標結構為目標襯底或具有功能器件的半導體結構。

3.根據權利要求2所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：

所述目標襯底為石英玻璃、玻璃、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根據權利要求1所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：

步驟1)中，在所述目標結構表面制備所述復合透明導電薄膜包括以下步驟：

1-1)在所述目標結構表面形成所述銀納米線薄膜；

1-2)在所述銀納米線薄膜表面形成所述石墨烯薄膜。

5.根據權利要求4所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：

步驟1-1)中，在所述目標結構表面形成所述銀納米線薄膜包括以下步驟：

1-1-1)提供銀納米線及溶劑，將所述銀納米線置于所述溶劑中得到銀納米線分散液；

1-1-2)采用浸漬提拉工藝、旋涂工藝、刮涂工藝、噴涂工藝、濕涂工藝、絲網印刷工藝、滾輪涂布工藝或板式涂布工藝在所述目標結構表面制備包括多個接觸連接的銀納米線的所述銀納米線薄膜。

6.根據權利要求4所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：

步驟1-2)中，在所述銀納米線薄膜表面形成所述石墨烯薄膜包括以下步驟：

1-2-1)提供生長基底，在所述生長基底表面制備所述石墨烯薄膜；

1-2-2)將所述石墨烯薄膜轉移至所述銀納米線薄膜表面。

7.根據權利要求1所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：步驟1)中，在所述目標結構表面制備所述復合透明導電薄膜包括以下步驟：

1-1)在所述目標結構表面形成所述石墨烯薄膜；

1-2)在所述石墨烯薄膜表面形成所述銀納米線薄膜。

8.根據權利要求7所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：

步驟1-1)中，在所述目標結構表面形成所述石墨烯薄膜包括以下步驟：

1-1-1)提供生長基底，在所述生長基底表面制備所述石墨烯薄膜；

1-1-2)將所述石墨烯薄膜轉移至所述目標結構表面。

9.根據權利要求7所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：

步驟1-2)中，在所述石墨烯薄膜表面形成所述銀納米線薄膜包括以下步驟：

1-2-1)提供銀納米線及溶劑，將所述銀納米線置于所述溶劑中得到銀納米線分散液；

1-2-2)采用浸漬提拉工藝、旋涂工藝、刮涂工藝、噴涂工藝、濕涂工藝、絲網印刷工藝、滾輪涂布工藝或板式涂布工藝在所述石墨烯薄膜表面制備包括多個接觸連接的銀納米線的所述銀納米線薄膜。

10.根據權利要求5或9所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：所述溶劑為乙醇、異丙醇或去離子水，所述銀納米線分散液的濃度為1mg/ml～20mg/ml。

11.根據權利要求4、5、7或9所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：形成所述銀納米線薄膜之后，還包括對所述銀納米線薄膜進行熱處理的步驟。

12.根據權利要求11所述的石墨烯與銀納米線復合透明導電薄膜的圖形化方法，其特征在于：對所述銀納米線薄膜進行熱處理的溫度為100℃～200℃，對所述銀納米線薄膜進行熱處理的時間為5分鐘～10分鐘。