[發明專利]一種發光單元及其制備方法在審
| 申請號: | 201610678734.4 | 申請日: | 2016-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN107768532A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 李艷虎;牟鑫;林信志 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光 單元 及其 制備 方法 | ||
1.一種發光單元,其特征在于,包括微腔結構,且所述微腔結構包括陰極、陽極及位于所述陰極與所述陽極之間的發光層,且所述發光層發射的光線經所述微腔結構共振后射出所述發光單元;
其中,所述光線在所述微腔結構中經反射形成駐波,且所述駐波的波腹位置與所述發光層重疊。
2.如權利要求1所述的發光單元,其特征在于,所述波腹位置為所述微腔結構的共振反節點位置。
3.如權利要求1所述的發光單元,其特征在于,在所述微腔結構中,還包括:
空穴注入層,覆蓋于所述陽極之上;
空穴傳輸層,覆蓋于所述空穴注入層之上,且所述發光層覆蓋位于所述空穴傳輸層之上;以及
電子傳輸層,覆蓋于所述發光層之上,且所述陰極覆蓋位于所述電子傳輸層之上。
4.如權利要求3所述的發光單元,其特征在于,在所述微腔結構中,還包括:
腔長調整層,位于所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間,用以調整所述微腔結構的總腔長。
5.如權利要求1所述的發光單元,其特征在于,所述陽極為全反射陽極,所述陰極為半透明陰極。
6.如權利要求1所述的發光單元,其特征在于,還包括:
光提取層,覆蓋于所述陰極的上方。
7.一種發光單元的制備方法,其特征在于,包括:
提供一陽極,于所述陽極之上制備形成有機層,且所述有機層包括依次覆蓋于所述陽極之上的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層;
制備陰極覆蓋于所述電子傳輸層之上,以于所述發光單元中形成微腔結構;以及
調整所述有機層的厚度,以使所述發光層位于所述微腔結構的共振反節點位置;
其中,所述共振反節點位置為所述發光層射出的光線在所述微腔結構中反射形成的駐波的波腹位置。
8.如權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述調整所述有機層的厚度的方法包括:減薄所述空穴傳輸層和/或增厚所述電子傳輸層和/或減薄所述發光層。
9.如權利要求7所述的制備方法,其特征在于,還包括:
制備腔長調整層位于所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間,以用于調整所述微腔結構的總腔長;以及
制備光提取層覆蓋于所述陰極的上方,以用于增強所述發光層的發光效果。
10.一種發光單元的制備方法,其特征在于,包括:
提供一陽極,于所述陽極之上制備形成有機層,且所述有機層包括依次覆蓋于所述陽極之上的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層;
制備陰極覆蓋于所述電子注入層之上,以于所述發光單元中形成微腔結構;以及
增厚所述空穴傳輸層和/或減薄所述電子傳輸層,以使所述發光層靠近所述陰極,并減薄所述微腔結構的總腔長厚度,節約所述微腔結構的成本。
11.如權利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述發光單元為藍光頂發射器件,且所述電子傳輸層的厚度為200~1000埃,所述空穴傳輸層的厚度為200~400埃;或者
所述發光單元為綠光頂發射器件,且所述電子傳輸層的厚度為200~1500埃,所述空穴傳輸層的厚度為200~400埃;或者
所述發光單元為紅光頂發射器件,且所述電子傳輸層的厚度為200~1800埃,所述空穴傳輸層的厚度為200~400埃。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





