[發明專利]一種半導體廢水的酶聯合除氧方法

有效

• 申請號: 201610675987.6
• 申請日: 2016-08-16
• 公開（公告）號: CN106277352B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 桂濤;張洪浩;鄧輝;王寶林
• 申請（專利權）人: 綿陽抱樸生物技術有限公司
• 主分類號: C02F3/34
• 分類號: C02F3/34;C02F103/34
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 譚新民

本發明公開了一種半導體廢水的酶聯合除氧方法，包括以下步驟：A、在含高濃度過氧化氫的半導體廢水中先加入過氧化氫酶和β?D?葡萄糖；B、向經A步驟處理的廢水中加入葡萄糖氧化酶進行處理；C、經B步驟處理后的廢水進入厭氧池進行厭氧反應。還包括以下步驟：D、經步驟C處理后的廢水與好氧池中經過硝化作用后的回流污水混合液混合后進入缺氧池中進行反硝化脫氮反應；E、向缺氧池中同時加入過氧化氫酶、葡萄糖氧化酶和β?D?葡萄糖進行處理；F、經E步驟處理后的廢水進入好氧池進行反應。能高效專一的除去廢水中高濃度過氧化氫和溶解氧，操作簡單，對環境和半導體廢水系統不造成任何污染，既高效又環保。

技術領域

本發明涉及一種半導體廢水處理方法，具體涉及一種半導體廢水的酶聯合除氧方法。

背景技術

半導體綜合廢水排放量大，廢水污染種類多，一般包含以下幾種廢水成分：研磨廢水，排氣廢水，含氟廢水，純水制造廢水，重金屬廢水，氨氮廢水，酸堿廢水，有機廢水，含砷廢水等。半導體廢水之處理系統一般分為三個階段：第一階段為廢水預處理，包括物理處理(過濾)、化學處理(中和，沉淀)，調節PH，減輕廢水污染程度和后續處理工藝負荷；第二階段為生化處理，也是整個污水處理的主體。經過預處理后的廢水進入生化池進行微生物處理，也就是傳統的A²/O工藝，分為厭氧-缺氧-好氧三個步驟；第三個階段為生化處理后的污水的后期處理，包括絮凝沉淀，過濾等，此階段工藝相對簡單。好氧池和缺氧池聯合脫氮，厭氧池和好氧池聯合除磷。厭氧池溶解氧濃度在0.2mg/L以下，主要為古細菌，要嚴格做到厭氧，適宜厭氧微生物活動從而處理水中污染物的構筑物；缺氧池溶解氧濃度為0.2～0.5mg/L，主要為真菌，酵母菌等好氧和兼性厭氧微生物生活的構筑物；好氧池溶解氧濃度在2mg/L以上，適宜好氧微生物生長繁殖，從而處理水中污染物質的構筑物。不同的氧環境有不同的微生物群，如果在處理系統中不能嚴格控制溶解氧含量，會導致微生物生長環境改變，影響微生物代謝活動，對生化處理系統造成嚴重破壞，從而不能達到去除污染物的目的。因此，在生化處理過程各階段中，須嚴格控制溶解氧濃度。

半導體廢水中存在大量的過氧化氫，其主要來源于硅片清洗工藝。過氧化氫具有很強的氧化性，會產生能夠對微生物代謝造成脅迫的有毒物質，影響微生物代謝，甚至殺死生化系統中的微生物。所以半導體廢水在進入生化系統前必須除去其中所含的過氧化氫。傳統工業中用加熱分解過氧化氫效率低，能耗高。過氧化氫分解會產生氧氣，增加污水中溶解氧濃度。目前，傳統的除氧劑多為亞硫酸鹽(Na₂SO₃、NH₄HSO₃、NaHSO₃，SO₂)、聯氨(N₂H₄)、DMKO、鐵粉或海綿鐵等。這些除氧劑大部分都具有毒性或會在污水中引入其他物質(如鐵離子等)或增加污泥量等，會造成嚴重的環境問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是半導體廢水處理過程中高濃度過氧化氫對微生物系統造成損害，且傳統除氧劑有毒或引入新的金屬離子、增加污泥量，目的在于提供一種半導體廢水的酶聯合除氧方法，是一種節能環保的除氧方法，并能有效除去廢水中的過氧化氫。

本發明通過下述技術方案實現：

一種半導體廢水的酶聯合除氧方法，包括以下步驟：

A、在含高濃度過氧化氫的半導體廢水中加入過氧化氫酶和β-D-葡萄糖；

B、向經A步驟處理的廢水中加入葡萄糖氧化酶進行處理；

C、經B步驟處理后的廢水進入厭氧池進行厭氧反應。

一種半導體廢水的酶聯合除氧方法，還包括以下步驟：

D、經步驟C處理后的廢水與好氧池中經過硝化作用后的回流污水混合液混合后進入缺氧池中進行反硝化脫氮反應；