[發明專利]一種晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法

有效

• 申請號: 201610675488.7
• 申請日: 2016-08-16
• 公開（公告）號: CN106067488B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 鄒帥;王栩生;邢國強
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙)32251
• 代理人: 陸金星

1.一種晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)將硅片放入含有金屬離子的溶液中浸泡，使硅片表面涂覆一層金屬納米顆粒；

(2)使上述步驟(1)中硅片表面涂覆的金屬納米顆粒形成團簇；

(3)用第一化學腐蝕液腐蝕硅片表面，形成多孔質層結構；

所述第一化學腐蝕液為HF和氧化劑的混合溶液，即可得到晶體硅太陽能電池的絨面結構；

所述步驟（2）中，將步驟(1)中的溶液進行加熱，使硅片表面涂覆的金屬納米顆粒形成團簇；或者，將步驟(1)中的表面涂覆有金屬納米顆粒的硅片置于惰性氣體氣氛中加熱使硅片表面涂覆的金屬納米顆粒形成團簇。

2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中的加熱溫度在50~1000℃，并持續5~500秒。

3.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中，采用油浴的加熱方法使溶液溫度保持在50~1000℃。

4.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中，采用紅外加熱方法使惰性氣體氣氛的溫度達到50~1000℃。

5.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中含有金屬離子的溶液中還包含HF。

6.根據權利要求1或5所述的晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中，所述溶液中金屬離子濃度小于等于1E^-3 mol/L，或者，溶液中金屬離子濃度大于1E^-3 mol/L的同時HF的濃度小于等于1E^-2 mol/L。

7.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，所述第一化學腐蝕液中，HF的濃度為1~15 mol/L，氧化劑的濃度為0.05~0.5 mol/L，腐蝕溫度為25~90℃，時間為1~10 min。

8.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)之后，還包括如下步驟：

(4)采用第一清洗液去除殘留金屬顆粒；

所述第一清洗液選自以下4種溶液中的一種：鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液、硝酸、氨水；

所述硝酸的質量濃度為5~69%；所述氨水的體積濃度為1~30%；

所述第一清洗液的溫度為20~80℃；

(5)然后用第二化學腐蝕液進行表面刻蝕；

所述第二化學腐蝕液為氫氟酸和硝酸，其中氫氟酸的濃度為1~15 mol/L，硝酸的濃度為0.05~0.5 mol/L；

或者所述第二化學腐蝕液為堿液，所述堿液選自氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液、氨水或四甲基氫氧化銨的任意一種或多種；

(6)然后將上述硅片放入第二清洗液中進行清洗；

所述第二清洗液為鹽酸和雙氧水的混合液、氨水和雙氧水的混合液中的任意一種混合液；

(7)然后將上述硅片放入氫氟酸溶液中浸漬。

9.根據權利要求1至8中任一所述的方法制備得到的晶體硅太陽能電池的絨面結構。