[發明專利]RFLDMOS的鎢下沉層的電阻測試結構和方法有效
| 申請號： | 201610671709.3 | 申請日： | 2016-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN106098674B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 蔡瑩;周正良 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 下沉層 測試結構 電阻測試 第一層 金屬層 電阻測試結構 并排排列 測試襯墊 密集排列 成功率 斷開 測試 | ||
【權利要求書】：
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