[發明專利]EEPROM模型電路及建模方法、仿真方法及測試結構

有效

• 申請號: 201610664771.X
• 申請日: 2016-08-12
• 公開（公告）號: CN107729586B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 林曦;沈憶華;潘見
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G06F30/367
• 分類號: G06F30/367
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種EEPROM模型電路，其特征在于，包括：

電容，所述電容為浮柵與控制柵構成的耦合電容，所述電容具有相對的浮柵節點以及控制柵節點；

由源極、漏極以及柵極構成的MOS管，所述MOS管具有源極節點、漏極節點以及柵極節點，其中，所述柵極節點與所述浮柵節點相連，所述源極節點與所述漏極節點之間的電流為源漏電流，所述浮柵節點與所述源極節點之間的電壓為浮源壓差；

電流源，所述電流源具有相對的第一節點以及第二節點，所述第一節點與所述源極節點相連，所述第二節點與所述浮柵節點相連，其中，所述電流源的電流大小與所述源漏電流以及所述浮源壓差相關。

2.如權利要求1所述的EEPROM模型電路，其特征在于，所述EEPROM模型電路進行擦除操作；所述浮柵節點的電勢低于所述源極節點的電勢，所述電流源的電流大小受控于所述浮源壓差。

3.如權利要求1所述的EEPROM模型電路，其特征在于，所述EEPROM模型電路進行寫入操作；所述浮柵節點的電勢高于所述源極節點的電勢，所述電流源的電流大小受控于所述浮源壓差以及所述源漏電流。

4.如權利要求1所述的EEPROM模型電路，其特征在于，所述EEPROM模型電路進行讀取操作；所述浮柵節點的電勢高于所述源極節點的電勢，所述電流源的電流大小接近為零。

5.如權利要求1所述的EEPROM模型電路，其特征在于，所述EEPROM模型電路還包括：位線，所述位線與所述漏極節點相連；字線，所述字線與所述控制柵節點相連。

6.如權利要求1所述的EEPROM模型電路，其特征在于，所述電容、MOS管以及電流源構成單元模型電路；所述EEPROM模型電路包括若干個所述單元模型電路。

7.一種EEPROM模型電路的建模方法，其特征在于，包括：

提供如權利要求1～6任一項所述的EEPROM模型電路；

獲取浮柵與控制柵構成的耦合電容的電學性能；

基于所述獲取的耦合電容的電學性能，建立電容模型；

獲取源極、漏極以及柵極構成的MOS管的電學性能；

基于所述獲取的MOS管的電學性能，建立MOS管模型；

獲取EEPROM器件在擦寫過程中，浮柵與源極之間的電流與各節點之間的電流電壓關系；

基于所述獲取的電流電壓關系，建立所述電流源模型，所述電流源模型中電流源的電流大小與浮柵與源極之間的電壓相關，所述電流大小還與MOS管中的源漏電流相關；

基于所述電容模型、MOS管模型以及電流源模型，建立EEPROM模型電路。

8.如權利要求7所述的建模方法，其特征在于，所述浮柵與源極之間的電流與各點節點之間的電流電壓關系包括：所述浮柵與源極之間的電流與源漏電流以及浮源壓差之間的電流電壓關系。

9.如權利要求8所述的建模方法，其特征在于，獲取所述EEPROM器件在擦寫過程中，浮柵與源極之間的電流與各節點之間的電流電壓關系的方法包括：

獲取EEPROM在寫入過程中，浮柵與源極之間的電流與各節點之間的電流電壓關系；

獲取所述EEPROM在擦除過程中，浮柵與源極之間的電流與各節點之間的電流電壓關系。

10.如權利要求9所述的建模方法，其特征在于，所述EEPROM在進行寫入操作時，所述浮柵與源極之間的電流受控于浮源壓差以及源漏電流；通過迭代擬合的方法，獲取所述電流源的電流大小與所述浮源壓差以及源漏電流之間的關系。

11.如權利要求9所述的建模方法，其特征在于，所述EEPROM在進行擦除操作時，所述浮柵與源極之間的電流受控于所述浮源壓差；通過迭代擬合的方法，獲取所述電流源的電流大小與所述浮源壓差之間的關系。