[發明專利]磁控濺射方法以及磁控濺射裝置

在審

• 申請號: 201610664192.5
• 申請日: 2016-08-12
• 公開（公告）號: CN107723673A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 姚艷雙;張鶴南;董博宇;郭冰亮;張軍;武學偉;徐寶崗;崔亞欣;馬懷超;劉紹輝;王軍
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙)11442
• 代理人: 馬佑平,楊國權

1.一種磁控濺射方法，其特征在于，包括：

步驟1：將待加工件移入工藝腔室內并放置于基座上；

步驟2：將所述基座移動到加熱位置，對所述待加工件進行加熱，當所述待加工件的溫度達到預設溫度時進入步驟3；

步驟3：檢測所述工藝腔室的真空狀態，如果滿足磁控濺射工藝要求，則進行步驟4，如果不滿足則返回步驟2；

步驟4：將所述基座移動到工藝位置，對所述待加工件進行磁控濺射。

2.根據權利要求1所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述步驟3包括：

按預設時間間隔，循環檢測所述工藝腔室的真空狀態。

3.根據權利要求2所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述預設時間間隔為300s；檢測工藝腔室的真空狀態包括：檢測工藝腔室的壓升率，并判斷壓升率是否達到預定值；當壓升率小于或者等于10000ntorr/s時，進行預濺射。

4.根據權利要求1所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述步驟4包括：

步驟4-1：對所述待加工件進行預濺射；

步驟4-2：對所述待加工件進行主濺射。

5.根據權利要求4所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述步驟4-1包括：

將所述基座移動到預濺射位置；

將遮蔽盤移至靶材與所述待加工件之間；

在所述工藝腔室內通入惰性氣體；

進行預濺射，以對所述靶材的表面進行預處理。

6.根據權利要求5所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氬氣和氮氣，其中，氬氣的流量為30sccm，氮氣的流量為50sccm；所述預濺射包括：

施加3000W的濺射功率進行預濺射，持續時間為30秒。

7.根據權利要求4所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述步驟4-2包括：

將遮蔽盤從靶材與所述待加工件之間移開；

將所述基座移動到主濺射位置；

對所述待加工件進行主濺射以在所述待加工件上形成薄膜；以及

將所述待加工件移出所述工藝腔室。

8.根據權利要求7所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述主濺射包括：施加3000W的濺射功率進行主濺射，持續時間為550秒。

9.根據權利要求1所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述預設溫度為650℃。

10.一種磁控濺射裝置，其特征在于，包括工藝腔室，所述工藝腔室采用如權利要求1-9所述的磁控濺射方法，對待加工件進行加熱和磁控濺射。

11.根據權利要求10所述的磁控濺射裝置，其特征在于，

在所述工藝腔室(12)的上方設置有靶材(10)；在所述工藝腔室(12)的下方設置有用于承接待加工件的基座(6)，所述基座(6)被配置為能夠在所述加熱位置和所述工藝位置之間升降；

所述工藝腔室還包括：

遮蔽盤(13)，其被配置為能夠被移入和移出所述靶材(10)與待加工件之間的區域；

加熱裝置(5)，其位于所述基座(6)與所述待加工件之間；以及

壓升率檢測裝置(11)，其被配置為用于檢測所述工藝腔室內的壓升率。