[發明專利]一種CVT干式電磁單元

有效

• 申請號: 201610663372.1
• 申請日: 2016-08-15
• 公開（公告）號: CN106128714B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 周海燕;胡美倫;羅新民;周東;李緒涵;王東
• 申請（專利權）人: 湖南華雄新材料有限公司
• 主分類號: H01F27/24
• 分類號: H01F27/24;H01F27/30;H01F27/32;H01F27/26;H01F27/245;H01F17/04;G01R15/06
• 代理公司: 長沙市標致專利代理事務所(普通合伙)43218
• 代理人: 楊娜

技術領域

發明涉及CVT技術領域，特別是一種CVT干式電磁單元。

背景技術

年來，隨著電網設備的更新換代，電容式電壓互感器(CVT)已經逐步取代了傳統的電磁式電壓互感器。CVT系列產品在額定頻率為50HZ的高壓、超高壓及特高壓電力系統中可為電氣測量儀器、儀表和保護、控制裝置等提供電信號，并兼作電力線路載波耦合裝置的耦合電容器。CVT主要由電容分壓器和電磁單元組成。其中電磁單元包含有中間變壓器、補償電抗器、避雷器和速飽和阻尼器。

前電磁單元均為油浸式，以油作絕緣。而油浸式電磁單元存在油滲透性強、密封困難、易燃易爆、污染環境、制造工藝復雜、檢測調試、安裝及運輸不方便等缺陷。此外，傳統電磁單元中的中間變壓器其鐵心采用插片式鐵心，使導磁率下降，產生渦流阻抗噪音大、空載損耗高。雖然對于0.5級要求而言，CVT是完全能夠滿足要求的，但是由于電力工業不斷創新發展，對于電力設備的測量精度要求越來越高，針對0.2級的產品而言，則難度較大。同時電站產品的無油化是保護環境，節能減排的一項重要指標。

發明內容

發明的目的是克服現有技術的上述不足而提供一種無凝露，低局放，高精度，無油化，密封、絕緣性能好的CVT干式電磁單元。

本發明的技術方案是：一種CVT干式電磁單元，包括中間變壓器、補償電抗器和速飽和阻尼器；所述中間變壓器的一次出線端經凸臺連接電容分壓器的中壓端，中間變壓器的二次出線端經第一凹形調節盒連接電容分壓器的低壓端；所述中間變壓器、補償電抗器和速飽和阻尼器均由絕緣樹脂澆注封裝成型并安裝于箱體內。

進一步，所述中間變壓器包括第一澆注體和設于第一澆注體內的第一鐵芯；所述第一鐵芯呈口字型；所述第一鐵芯的一側邊從內到外依次繞制有二次繞組和一次繞組，且第一鐵芯、二次繞組和一次繞組之間均設有絕緣層。

進一步，所述一次繞組分段繞制，分段繞制的結構為：每段繞制線圈的匝數相同，每段繞組代表一層，相鄰層之間設有絕緣層。

進一步，所述中間變壓器的一次出線端經凸臺出線，通過封閉式T型線夾與中壓套管內的所述中壓端連接；所述中間變壓器的二次出線端經第一凹形調節盒出線，通過封閉式T型線夾與低壓套管內的所述低壓端連接。

進一步，所述第一凹形調節盒的內腔呈凹形，第一凹形調節盒內設凸頭調節螺栓。

進一步，所述補償電抗器包括第二澆注體和設于第二澆注體內的第二鐵芯，所述第二鐵芯為R型或階梯型鐵芯；所述第二鐵芯的中部橫向連接有緊固體，所述緊固體上套設有第一骨架，第二鐵芯上套設有第二骨架；第一骨架和第二骨架上從內到外均依次繞制有主繞組和調節繞組。

進一步，所述第二鐵芯是由硅鋼片繞制成的R型或階梯型鐵芯，經切割成對稱相同的兩塊C型鐵芯，并再次結合形成R型或階梯型鐵芯。

進一步，所述所述調節繞組的線圈纏繞匝數占主繞組線圈纏繞匝數的20%。

進一步，所述第二澆注體的上側設有第二凹形調節盒，所述第二凹形調節盒內設凸頭調節螺栓。

進一步，所述箱體內還安裝有與中間變壓器、補償電抗器和速飽和阻尼器的外線連接的二次出線板。

本發明的有益效果：

（1）體積小，重量輕，可節省三分之一的硅鋼片和銅材，每臺電磁單元可節省優質變壓油60-80kg，估計全國一年可節省油變壓器幾千噸；

（2）對電磁單元進行干燥處理，減少了二次能源的浪費，保護了環境；

（3）產品整體結構緊湊，磁路長度短，導磁性能好，漏磁量小，不易飽和，使其準確級的誤差精度可達到0.2級以上，空載電流小于200mA；

（4）中間變壓器的一次繞組分多段繞制，大為降低了層間電壓強度，并采用可靠的有效的屏蔽工藝，保證電壓場強均勻，降低了局部放電水平，不大于10PC；

（5）通過設置凹形調節盒，不僅能夠增加爬電距離，加強絕緣強度，而且還能避免水路，不會產生漏電現象。

附圖說明

圖1為本發明實施例的結構示意圖；

圖2為本發明實施例中間變壓器的結構示意圖；

圖3為本發明實施例第一鐵芯的結構示意圖；

圖4為本發明實施例中間變壓器繞組繞制的結構示意圖；

圖5為本發明實施例中間變壓器一次繞組分段繞制的結構示意圖；

圖6為本發明實施例中間變壓器一次繞組分段繞制的另一結構示意圖；

圖7為本發明實施例補償電抗器的結構示意圖；

圖8為本發明實施例速飽和阻尼器的結構示意圖。