[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201610662636.1
• 申請日: 2016-08-12
• 公開（公告）號: CN107731917B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 謝欣云
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

形成襯底，所述襯底上具有多個相互平行的第一鰭部以及多個相互平行的第二鰭部，所述第二鰭部位于第一鰭部的延伸方向上；

形成位于所述第一鰭部和所述第二鰭部之間的第一隔離結構，以及位于相鄰所述第一鰭部之間和相鄰所述第二鰭部之間的第二隔離結構，所述第一隔離結構的頂部表面、所述第二隔離結構的頂部表面與所述第一鰭部和所述第二鰭部的頂部表面齊平；

形成具有第一開口的停止層，所述停止層覆蓋所述第一鰭部、第二鰭部以及所述第二隔離結構的頂部表面，所述第一開口露出所述第一隔離結構的頂部表面；

去除靠近所述第一開口的部分停止層，形成第二開口，在所述第一鰭部和所述第二鰭部延伸方向上，所述第二開口的尺寸大于第一開口的尺寸；

填充所述第二開口，形成位于所述第一隔離結構上的犧牲層；

去除所述停止層，露出所述第二隔離結構；

回刻所述第二隔離結構，露出所述第一鰭部和所述第二鰭部的部分側壁表面；在回刻所述第二隔離結構的過程中，減薄所述犧牲層；

在所述第一鰭部和所述第二鰭部上分別形成柵極結構，所述柵極結構橫跨所述第一鰭部和所述第二鰭部并覆蓋所述第一鰭部和所述第二鰭部頂部和側壁的部分表面；在形成所述柵極結構的過程中，在所述第一隔離結構上形成偽柵結構。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成停止層的步驟中，所述停止層的材料包括氮化硅。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成停止層的步驟中，所述停止層的厚度在10nm到100nm范圍內。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除靠近所述第一開口的部分停止層以形成第二開口的步驟包括：沿鰭部延伸方向，去除所述停止層的厚度在10nm到100nm范圍內。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第二開口的步驟包括：采用濕法刻蝕的方式去除靠近所述第一開口的部分停止層，形成所述第二開口。

6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕的方式形成第二開口的步驟包括：采用磷酸濕法刻蝕工藝去除靠近所述第一開口的部分停止層，形成所述第二開口。

7.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，采用磷酸濕法刻蝕工藝形成所述第二開口的步驟中，所述刻蝕溶液濃度，按質量百分比，在50％到100％范圍內，刻蝕溫度在25℃到150℃范圍內。

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述停止層的步驟包括：

在所述襯底上形成停止材料層，所述停止材料層覆蓋所述第一鰭部頂部、所述第二鰭部頂部、所述第一隔離結構頂部以及所述第二隔離結構頂部；

在所述停止材料層內形成第一開口，所述第一開口底部露出所述第一隔離層的頂部。

9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，回刻犧牲層和所述第二隔離結構的步驟中，刻蝕厚度在到范圍內。

10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，回刻犧牲層和所述第二隔離結構的步驟包括：采用濕法刻蝕的方式回刻所述犧牲層和所述第二隔離結構。

11.如權利要求10所述的形成方法，其特征在于，回刻犧牲層和所述第二隔離結構的步驟包括：采用各向同性濕法刻蝕的方式回刻所述犧牲層和所述第二隔離結構。

12.如權利要求11所述的形成方法，其特征在于，采用各向同性濕法刻蝕回刻所述犧牲層和所述第二隔離結構的步驟中，所述刻蝕溶液為氫氟酸，刻蝕溶液濃度，按質量百分比在0.1％到2％范圍內，刻蝕溫度在25℃到100℃范圍內。

13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成犧牲層的步驟中，所述犧牲層的材料與所述第二隔離結構的材料相同。