[發明專利]一種掩膜電解加工微結構陣列的方法有效
| 申請號： | 201610661385.5 | 申請日： | 2016-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN107717148B | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發明（設計）人： | 秦歌;周奎;羅晨旭;王冠;程丹佛;趙西梅;李潤清;明平美;張新民 | 申請（專利權）人： | 河南理工大學 |
| 主分類號： | B23H9/00 | 分類號： | B23H9/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 454003 河南*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電解加工 微結構陣列 聚合物 掩膜 誘導裝置 圖形化 制作 基底 成型 金屬平板工件 圖形化掩膜 涂覆聚合物 誘導聚合物 表面疏水 基底表面 金屬裸露 圖形轉移 掩膜圖形 超疏水 電誘導 疏水層 支架 固化 裝配 誘導 殘留 保證 | ||
【權利要求書】：
1.一種掩膜電解加工微結構陣列的方法，其特征在于包括下列步驟：
（a）制作掩膜成型的誘導裝置，包括:1.在基底（1）上制作支架（2）；2.基底（1）表面疏水處理，制作疏水層（3）；3.涂覆聚合物（4）；4.裝配誘導裝置；
（b）誘導聚合物（4）圖形化；
（c）固化誘導成型的聚合物（4），在金屬平板工件（5）上得到固化的圖形化聚合物（7）；
（d）電解加工微結構陣列, 在電解槽（10）中，以金屬平板工件（5）為被電解加工的陽極、以金屬平板工件（5）上圖形化聚合物（7）為電解的掩膜，通入電解液（9），接通電源，在金屬平板工件（5）上電解加工微結構陣列。
2.根據權利要求1所述的一種掩膜電解加工微結構陣列的方法，其特征在于：所述的基底（1）材料為可導電材料。
3.根據權利要求1所述的一種掩膜電解加工微結構陣列的方法，其特征在于：所述的支架（2）的材料為絕緣材料。
4.根據權利要求3所述的一種掩膜電解加工微結構陣列的方法，其特征在于：支架（2）形狀可為環形或矩形，其厚度范圍在20～50微米。
5.根據權利要求1中所述的一種掩膜電解加工微結構陣列的方法，其特征在于：所述的在基底（1）上涂覆的聚合物（4）的初始厚度低于支架（2）的高度，尺寸小于等于10微米。
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