[發(fā)明專利]自對準(zhǔn)互連結(jié)構(gòu)和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610658813.9
• 申請日: 2016-08-12
• 公開（公告）號(hào): CN106653681B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡榮訓(xùn);鄧志霖;鄭凱方;黃心巖;陳海清;包天一;黃建樺
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造集成電路的方法，包括：

提供襯底，所述襯底具有第一介電材料層和嵌入在所述第一介電材料層中并且被所述第一介電材料層的部分彼此橫向隔開的第一導(dǎo)電部件；

在所述第一介電材料層和所述第一導(dǎo)電部件上沉積第一蝕刻停止層，由此形成所述第一蝕刻停止層，所述第一蝕刻停止層具有與所述第一介電材料層的所述部分自對準(zhǔn)的富氧部分和與所述第一導(dǎo)電部件自對準(zhǔn)的貧氧部分；

實(shí)施對所述第一蝕刻停止層的選擇性去除工藝，由此選擇性地去除所述第一蝕刻停止層的所述貧氧部分；

在所述第一導(dǎo)電部件和所述第一蝕刻停止層的所述富氧部分上形成第二蝕刻停止層，其中，所述第二蝕刻停止層在組成上不同于所述第一蝕刻停止層；

在所述第二蝕刻停止層上形成第二介電材料層；以及

在所述第二介電材料層中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與至少一個(gè)所述第一導(dǎo)電部件電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第二介電材料層中形成所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：

實(shí)施對所述第二介電材料層的第一蝕刻工藝，由此在所述第二介電材料層中形成開口；以及

在所述第二介電材料層的所述開口中形成第二導(dǎo)電部件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述第二導(dǎo)電部件包括用導(dǎo)電材料填充所述開口以及拋光所述導(dǎo)電材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括實(shí)施雙鑲嵌工藝，由此形成具有金屬線和金屬通孔部件的所述第二導(dǎo)電部件，所述金屬通孔部件電連接所述金屬線和所述第一導(dǎo)電部件。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括穿過所述第二介電材料層中的所述開口實(shí)施對所述第二蝕刻停止層的第二蝕刻工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積所述第一蝕刻停止層包括沉積選自由氧化鉿、氧化鋯、氧化鋁或它們的組合組成的組的金屬氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，通過使用含氧化學(xué)物質(zhì)和含金屬化學(xué)物質(zhì)的原子層沉積來執(zhí)行所述金屬氧化物的所述沉積。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，

所述含金屬化學(xué)物質(zhì)選自由四(乙基甲基氨基)鉿(TEMA-Hf)、四(乙基甲基酰胺基)鋯(TEMA-Zr)、三甲基鋁(TMA)、三(二甲基酰胺基)鋁(TDMAA)及它們的組合組成的組。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積所述第一蝕刻停止層包括形成具有所述富氧部分和所述貧氧部分的所述第一蝕刻停止層，所述富氧部分具有大于80％的第一金屬-氧接合濃度并且所述貧氧部分具有小于40％的第二金屬-氧接合濃度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，實(shí)施對所述第一蝕刻停止層的所述選擇性去除工藝包括：使用濕蝕刻溶液實(shí)施濕清洗工藝使得所述貧氧部分和所述富氧部分之間的蝕刻選擇比大于3。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述蝕刻劑包括濕清洗組分；金屬-氧化物去除組分以及抑制劑組分。