[發明專利]襯底結構、半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201610657471.9
• 申請日: 2016-08-11
• 公開（公告）號: CN106629570A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 洪蔡豪;郭仕奇;李宗憲;劉陶承
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種用于微電子機械系統(MEMS)器件的襯底結構，包括：

蓋，具有腔；以及

微電子機械系統(MEMS)襯底，設置在所述蓋上，所述MEMS襯底具有暴露所述腔的多個孔洞，并且所述孔洞的縱橫比大于30。

2.根據權利要求1所述的襯底結構，還包括：蝕刻停止層，設置在所述蓋和所述MEMS襯底之間。

3.根據權利要求1所述的襯底結構，其中，所述孔洞的寬度在從1μm至2μm的范圍內。

4.根據權利要求1所述的襯底結構，其中，所述孔洞的深度在從60μm至90μm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的襯底結構，其中，所述MEMS襯底還包括多個MEMS結構。

6.根據權利要求5所述的襯底結構，其中，所述MEMS結構包括加速度計、彈簧和電容器極板。

7.根據權利要求1所述的襯底結構，其中，所述蓋和所述MEMS襯底是其中無有源組件的毯狀晶圓。

8.一種制造半導體結構的方法，所述方法包括：

在第一襯底中形成溝槽；

將具有第二子孔洞的第二襯底堆疊在所述第一襯底上，并且所述第二子孔洞暴露所述溝槽；

將具有腔的蓋接合在所述第二襯底上；以及

減小所述第一襯底的厚度以將所述溝槽轉變為第一子孔洞。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，將具有所述第二子孔洞的所述第二襯底堆疊在所述第一襯底上包括：

在所述第一襯底上形成所述第二襯底；

減小所述第二襯底的厚度；以及

在所述第二襯底中形成所述第二子孔洞以暴露所述溝槽。

10.一種制造半導體結構的方法，所述方法包括：

接收具有腔的蓋；

在所述腔中填充第一支撐層；

形成第一襯底以覆蓋所述第一支撐層；

在所述第一襯底中形成第一子孔洞以暴露所述第一支撐層；

在所述第一子孔洞中填充第二支撐層；

形成第二襯底以覆蓋所述第二支撐層；

在所述第二襯底中形成第二子孔洞以暴露所述第二支撐層；以及

去除所述第一支撐層和所述第二支撐層。