[發(fā)明專利]一種摻雜型光伏薄膜材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610651872.3 | 申請日: | 2016-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN106024935B | 公開(公告)日: | 2018-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 方澤波 | 申請(專利權(quán))人: | 紹興文理學(xué)院 |
| 主分類號: | H01L31/0392 | 分類號: | H01L31/0392;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京華仲龍騰專利代理事務(wù)所(普通合伙)11548 | 代理人: | 李靜 |
| 地址: | 312000 浙江省紹興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 摻雜 型光伏 薄膜 材料 | ||
1.一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,在n型Si基片上依次設(shè)置有碳摻雜二氧化硅層和無缺陷摻雜型石墨烯層,形成具有光伏和光電導(dǎo)效應(yīng)的摻雜型光伏薄膜材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求書1所述的一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,所述摻雜型光伏薄膜材料的制備方法,其步驟如下:
步驟1,配置二氧化硅電泳液:將納米二氧化硅、分散劑和醇溶液進(jìn)行混合,超聲分散得到電泳液;
步驟2,二氧化硅薄膜沉積:將電泳液沉積到n型Si基片上,得到二氧化硅薄膜層;
步驟3,碳摻雜二氧化硅層:在二氧化硅薄膜層表面涂覆活性炭薄涂層,高溫?zé)Y(jié),得到二氧化硅與碳化硅的混合層;
步驟4,石墨烯鍍膜:在碳摻雜二氧化硅層表面旋轉(zhuǎn)涂抹石墨烯膜層;
步驟5,石墨烯摻雜:在氣體保護(hù)下,石墨烯膜層與三氯化硼經(jīng)升溫高壓反應(yīng),得到硼摻雜石墨烯;
步驟6,石墨烯缺陷修復(fù):將步驟5中的材料放置在甲胺氣體條件下,加壓加熱,反應(yīng)后得到摻雜型光伏薄膜材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,所述步驟1中的納米二氧化硅、分散劑和醇溶液的質(zhì)量配比為納米二氧化硅10-20份、分散劑3-5份和醇溶液50-75份;所述分散劑采用聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酰胺或聚乙烯蠟中的一種,所述納米二氧化硅的粒徑為50-200nm,所述醇溶液采用C2-C5低分子醇。
4.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,所述步驟1中的超聲頻率為5-12MHz,超聲時間為20-30min。
5.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,所述步驟2中的沉積的電流強(qiáng)度為2-20mA,沉積時間為10-30s。
6.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,所述步驟3中的涂覆采用旋轉(zhuǎn)涂覆法,高溫?zé)Y(jié)溫度為200-400℃,燒結(jié)時間為3-8h;所述活性炭涂膜液采用活性炭濃度為0.1-0.8mg/L的無水乙醇溶液,所述活性炭加載量是二氧化硅含量的1-3%。
7.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,所述步驟4中的石墨烯膜層厚度為0.1-10μm,所述石墨烯鍍膜液采用氧化石墨烯溶液提拉后氧化還原反應(yīng)制得;所述提拉速度為600mm/min,停留時間為5s,提拉次數(shù)為10-15次,氧化石墨烯溶液的濃度為1-1.9g/L;所述氧化還原反應(yīng)是在水浴中與水合肼回流反應(yīng)12-18h,所述水合肼的加入量是石墨烯質(zhì)量的0.01%。
8.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,所述步驟5中的高溫為400-600℃,高壓為1-3.2MPa,保護(hù)氣為氮?dú)饣蚨栊詺怏w。
9.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,所述步驟6中的壓力為0.3-0.8MPa,溫度為150-200℃,反應(yīng)時間為3-6h。
10.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的一種摻雜型光伏薄膜材料,其特征在于,所述步驟6中的反應(yīng)結(jié)束后采用蒸餾水進(jìn)行清洗,然后50-70℃烘干。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





