[發明專利]一種波長轉換裝置及其制備方法、發光裝置和投影裝置在審
| 申請號： | 201610651787.7 | 申請日： | 2016-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN108300473A | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 田梓峰;許顏正 | 申請（專利權）人： | 深圳市光峰光電技術有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/80 | 分類號： | C09K11/80;F21V9/40;G03B21/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳市南山區茶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波長轉換裝置 發光陶瓷 散射顆粒 發光裝置 投影裝置 制備 高熱穩定性 石榴石結構 氧化物陶瓷 摻雜離子 體積分數 摻雜量 光飽和 粒徑 | ||
1.一種波長轉換裝置，其特征在于，包括：
所述波長轉換裝置包括發光陶瓷和散射顆粒，所述散射顆粒均勻分散在所述發光陶瓷中；所述散射顆粒粒徑為10nm～5000nm，所述散射顆粒在所述波長轉換裝置中的體積分數為1％～60％；
所述發光陶瓷為石榴石結構的氧化物陶瓷；
所述發光陶瓷含有摻雜量為0.01％～1％的摻雜離子。
2.根據權利要求1所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述發光陶瓷厚度為50um～500um。
3.根據權利要求1所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述發光陶瓷為Ca3(Al，Sc)2Si3O12、(Gd，Tb，Y，Lu)3(Al，Ga)5O12或Y3Mg2AlSi2O12中的至少一種；
所述散射顆粒為氧化鋁、氧化釔、氧化鑭中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述摻雜離子為Ce3+；所述發光陶瓷為YAG:Ce3+發光陶瓷，所述散射顆粒為氧化鋁。
5.根據權利要求1所述的波長轉換裝置，其特征在于，所述散射顆粒粒徑范圍為100nm～1000nm。
6.一種波長轉換裝置的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一：按照預定比例配制發光陶瓷原料；配置散射顆粒原料，所述散射顆粒原料粒徑為10nm～5000nm；
步驟二：將所述發光陶瓷原料及所述散射顆粒原料在溶劑介質中混合球磨，同時加入粘結劑，使用磨球球磨，將球磨漿料進行干燥，干燥后進行研磨過篩得到粉體；使用鋼模對粉體進行單軸壓制，壓力為5Mpa-50Mpa，保壓時間30s至5min；再進行冷等靜壓，壓力為100Mpa-300Mpa，得到預成型件；
步驟三：將得到的預成型件進行高溫燒結排膠；將排膠后的生坯在高純氮氣氣氛高溫燒結，燒結溫度為1550℃～1800℃，得到發光陶瓷，將所述發光陶瓷研磨拋光至預定厚度，得到所需結構的波長轉換裝置。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述發光陶瓷原料的粒徑為10nm～500nm。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所溶劑介質為酒精；
所述粘結劑為聚乙烯醇縮丁醛(PVB)，分子量170000～250000；
所述磨球為氧化鋁磨球；
所述高溫燒結采用管式爐高溫燒結；
所述預定厚度為50um～500um。
9.根據權利要求6～7中任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述原料為按照YAG：Ce3+發光陶瓷各個組分化學計量比配置的氧化釔、氧化鋁和氧化鈰；其中，所述YAG：Ce3+發光陶瓷Ce3+摻雜量為0.01％～1％；
所述散射顆粒原料為氧化鋁、氧化釔、氧化鑭中的至少一種，粒徑為10nm～5000nm。
10.一種發光裝置，其特征在于，包括激發光源及權利要求1～5中任意一項所述的波長轉換裝置。
11.一種投影裝置，其特征在于，包括如權利要求10所述的發光裝置。
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