[發明專利]一種制備銅鉍硫薄膜的方法

有效

• 申請號: 201610649224.4
• 申請日: 2016-08-10
• 公開（公告）號: CN106086788B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 韓俊峰;劉雨濃;姚裕貴
• 申請（專利權）人: 北京理工大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/58
• 代理公司: 北京理工大學專利中心11120
• 代理人: 楊志兵,仇蕾安

1.一種制備銅鉍硫薄膜的方法，其特征在于：所述方法步驟如下：

步驟1.將潔凈的基底放入真空蒸鍍裝置中，真空蒸鍍裝置的腔室壓強控制在1×10^-5Pa～5×10^-2Pa，打開鉍蒸發源的電源將鉍蒸發源加熱至200℃～300℃，然后開始金屬鉍的蒸鍍，關閉鉍蒸發源的電源停止金屬鉍的蒸鍍；待真空蒸鍍裝置的腔室內溫度降至100℃以下且壓強控制在1×10^-4Pa～5×10^-2Pa時，打開CuS蒸發源的電源將CuS蒸發源加熱至800℃～1100℃，然后開始CuS的蒸鍍，關閉CuS蒸發源的電源停止CuS的蒸鍍；待真空蒸鍍裝置的腔室內溫度降至100℃以下時，停止對真空蒸鍍裝置抽真空，取出沉積金屬鉍薄膜和CuS薄膜的基底；

步驟2.在加熱爐中放置固體硫，并在距離固體硫5cm～20cm處放置沉積金屬鉍薄膜和CuS薄膜的基底；然后，先對加熱爐進行抽真空處理，再通入流量為20sccm～100sccm的氫氬混合氣體，并控制加熱爐內的壓強為20torr～100torr，然后在400℃～600℃下熱處理30min～60min，冷卻，基底上沉積的薄膜即為所述的銅鉍硫薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種制備銅鉍硫薄膜的方法，其特征在于：所述基底是厚度為0.2mm～4mm，在波長為400nm～3000nm電磁波下的透過率≥90％的玻璃。

3.根據權利要求1所述的一種制備銅鉍硫薄膜的方法，其特征在于：基底上沉積的金屬鉍薄膜的厚度為

4.根據權利要求1所述的一種制備銅鉍硫薄膜的方法，其特征在于：沉積的CuS薄膜的厚度為

5.根據權利要求1所述的一種制備銅鉍硫薄膜的方法，其特征在于：所述氫氬混合氣體中，氫氣與氬氣的體積比為1:4～19。

6.根據權利要求2所述的一種制備銅鉍硫薄膜的方法，其特征在于：基底的清洗方法如下：將基底放入半導體清洗劑和去離子水按1:50質量比配制的混合溶液中，然后加熱到60℃～70℃，保持15min～30min后，繼續升溫至80℃～90℃，超聲清洗15min～30min后，取出基底并用去離子水反復沖洗3～5次，再用純度≥99.999％的N₂吹干。